東京--(美國商業資訊)--八月，東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）將啟動用於汽車應用的40V N溝道功率MOSFET——TPWR7904PB和TPW1R104PB的量產和出貨。其採用雙面散熱、低電阻、小型DSOP Advance(WF)封裝。

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這些新產品在DSOP Advance(WF)封裝中安裝U-MOS IX-H系列晶片——採用最先進溝槽結構的MOSFET，實現高散熱性和低導通電阻特性。導通損耗所產生的熱量得到有效消散，因此散熱設計靈活性得到提高。

與東芝之前的U-MOS IV系列相比，U-MOS IX-H系列還實現了更小的開關雜訊，有助於降低電磁干擾(EMI)^[1]。
DSOP Advance(WF)封裝採用Wettable Flank Terminal結構^[2]。

應用場合
- 電動輔助轉向系統
- 負載開關
- 電動幫浦

特點
- 符合AEC-Q101標準，適用於汽車應用場合
- 採用頂板(top plate)^[3]和漏極的雙面散熱封裝
-Wettable Flank結構有助於提高AOI可見性
- U-MOS IX-H系列具備低導通電阻和低噪音特性

註：
[1] EMI（電磁干擾）
[2] Wettable Flank Terminal結構：一種端子結構，支援在電路板上進行安裝的自動光學檢測(AOI)。
[3] 請注意，該頂板與源極電勢相同，但不能用於電極。

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東芝：用於汽車應用的40V N溝道功率MOSFET TPWR7904PB，其採用雙面散熱的新封裝，可有效改善散熱。（照片：美國商業資訊）