東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出 TCK401G(高電位有效[1])和TCK402G(低電位有效[2])N溝道MOSFET驅動器,該產品支援最高可達28V的輸入電壓,因此適合於快速充電和需要大電流電源的其他應用。新MOSFET驅動IC的量產出貨即日啟動。
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新的TCK401G和TCK402G具備多種內建保護功能,包括過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能,但依然採用業界領先的WCSP6E小型封裝,尺寸為0.8mm × 1.2mm × 0.55mm(典型值)[3]。
可利用一個配有外部N溝道MOSFET的驅動器實現高效率電源電路,其中該MOSFET具備適合於目標應用的最大額定電壓和導通電阻。例如,新型MOSFET驅動器和低導通電阻SSM6K513NU MOSFET相結合適合於行動和消費應用,因為其可在較小空間內建構100W級電源電路。
應用場合
• 行動裝置
• 消費設備
特點
輸入工作電壓範圍寬:VIN_opr =2.7-28 V
WCSP6E小型封裝:0.8×1.2 mm,t:0.55mm(典型值)
過壓保護、浪湧電流抑制和自動輸出放電功能
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主要規格 |
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項目 |
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TCK401G |
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TCK402G |
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絕對最大額定值 |
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輸入電壓VIN (V) |
40 |
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電氣特性 |
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輸入工作電壓VIN (V) |
2.7-28 |
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輸入靜態電流IQ(ON)典型值(μA) |
121 |
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閘極驅動電壓 |
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VIN=3V |
4 |
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VIN=5V |
6.5 |
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VIN=9V |
6.5 |
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12V≦VIN≦28V |
8.5 |
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VGATE導通時間 |
0.58 |
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VGATE斷路時間 |
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16.6 |
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註:
[1] 當模式控制輸入端子處於高態時,則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於低態時,則外部MOSFET斷路。
[2] 當模式控制輸入端子處於低態時,則外部MOSFET導通。當模式控制輸入端子處於高態時,則外部MOSFET斷路。
[3] 一種N溝道MOSFET驅動IC,截至2017年9月27日。東芝電子元件及儲存裝置株式會社調查。
[4] 自VCT達到VIH值一半之時起,VGATE達到規定值所耗時間。
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