東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一個新的600V平面MOSFET系列——π-MOS IX。量產即日啟動。
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π-MOS IX系列採用經最佳化的晶片設計,與現有的π-MOS VII系列相比,其EMI雜訊峰值低5dB[1],同時保持了相同水準的效率。該產品提供更大的設計自由度,因此有助於減小設計工作量。此外,π-MOS IX系列具備相同的額定雪崩電流和額定直流電流,可輕鬆取代現有的MOSFET。
東芝電子元件及儲存裝置株式會社將推出更多600V元件以及500V和650V元件,以擴大其π-MOS IX系列的產品陣容。
應用場合
- 筆記型電腦AC變壓器和遊戲機充電器的中小型開關電源
- 照明電源
特點
- 兼具高效率和低噪音優點
- 額定雪崩電流和額定直流電流相等
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主要規格 |
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產品型號 |
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封裝 |
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絕對最大 |
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RDS(ON) |
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Qg |
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Ciss |
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當前一代 |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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TK650A60F |
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
TK11A60D |
|||||||
TK750A60F |
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
TK10A60D |
|||||||
TK1K2A60F |
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
20.5 |
740 |
TK6A60D(1.25Ω) |
|||||||
TK1K9A60F |
|
TO-220SIS |
|
600 |
|
3.7 |
|
1.9 |
|
14 |
|
490 |
|
TK4A60DB(2.0Ω) |
|
註:
[1] TK10A60D與TK750A60F相比較(200MHz地區的65W筆記型電腦配接器)
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