高度均勻的阻障層亦可大幅低減成本，同時提升性能和可靠性

台灣台北--(美國商業資訊)--Alchimer S.A.的全新薄膜沉積技術改進，努力讓矽穿孔（through-silicon vias（TSVs））的生產更具成本效益，保證可以縮減填充沉積次數，為電子產品封裝產業帶來新的選項。

Alchimer今日揭露，其AquiVia矽穿孔阻障層製程能夠對複雜的矽地形提供均勻、有保證的100%階梯覆蓋率，包括高深寬比的扇形側壁表面。阻障層係矽穿孔薄膜堆疊中最底層的元素之一。Alchimer的覆蓋能力前所未有，使得不需要解決阻障層的問題，令後續的沉積時間大幅縮短，成本亦會低減。

覆蓋率達100%，亦會消除後續的晶種層和填充沉積過程中可能會發生的一系列覆蓋相關的性能和可靠性問題。

矽穿孔技術公認是3D整合製程的核心牽動因素，可允許多晶片堆疊和互連。這是將更多運算能力、記憶和其他功能集成在極小裝置（如智慧手機、平板電腦和其他便攜式電子產品）內的理想解決方案。

階梯覆蓋率係矽穿孔底部的金屬化薄膜的厚度與頂部或平面薄膜厚度的比率。

“現有用於產生矽穿孔的蝕刻技術有很多優點，但傾向於產生扇形、階梯和其他表面特徵，對後續的薄膜沉積帶來真正挑戰”，Alchimer技術長Claudio Truzzi說。“傳統的真空沉積製程一直無法放入高品質的阻障層，尤其是較深、直徑較小、深寬比為10:1及以上的填孔—我們需要這些比率來全面實現3D整合的經濟優勢。”

“品質較差的阻障層直接導致電遷移、填充結果不理想及互連電路通路遭遇高電阻，這些因素將影響高值3D部件的性能和可靠性”，Truzzi解釋。“這種覆蓋率達100%的新產品顯示我們的阻障膜均勻分佈在填孔的周邊和底部，甚至在存在階梯形態及扇形的情況下亦不例外。因此，後續各層的下沉將有理想的基礎，而所需時間亦大幅減少，帶來額外的經濟效益。”

AquiVia Barrier和Alchimer的整套濕式沉積產品集保形性、階梯覆蓋和純度於一體，為PVD、CVD或其他乾式製程所不能比擬，比照標準的乾式製程低減成本40%至50%。客戶可視其應用需要，選擇單一薄膜或任何薄膜與填充的組合。

ALCHIMER將會參加台灣國際半導體展：Alchimer將與其台灣合作夥伴奇裕參加2011年9月7日至9日舉行的國際半導體展，展位672號。請前往我們的展位瞭解詳情，獲取有關Alchimer濕式沉積技術的更多資訊。此外，Alchimer將於9月7日下午出席在台北君悅大飯店舉行的有關最佳3D矽穿孔結構和製程的DigiTimes研討會。

關於Alchimer S.A.

Alchimer從事創新的化學配方、製程和智慧財產權的開發和行銷，其產品主要應用於各種微電子和MEMS的奈米薄膜沉積，其中包括晶圓級互連和三維TSV(矽穿孔)。該公司的突破性技術Electrografting（eG™）是一個電化學的製程，能夠在導體和半導體產生各種類型的超薄鍍層。Alchimer的潛力最初由法國創新署(OSEO)策略產業創新計畫所確認，該計畫支援具有商業化價值的最先進技術。Alchimer成立於2001年，是法國原子能總署（Commissariat a l'Energie Atomique，CEA）的分割資產。總部位於法國馬錫，並於當年獲得法國研發及產業局（French Minister of Research and Industry）頒發的「高科技新創公司國家首獎」（First National Award for the Creation of High Tech Companies）。公司現為歐洲前100大具前瞻性公司（Red Herring Top 100 European Company）之一。請瀏覽Alchimer網站：alchimer.com

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