SiGen完成其高產量無切損晶圓生產設備的設計驗證測試

加州聖荷西--(美國商業資訊)--工程基板製程和技術的領導廠商與束流誘導太陽能電池晶圓製造技術的先鋒企業Silicon Genesis今天宣佈，該公司已經最終確定了用於製造薄膜太陽能電池矽晶圓的第二代生產系統的規格。該系統設計成功是6年多以來開發、原型測試並與太陽能電池合作夥伴一起採用眾多設備對太陽能電池材料進行評估的成果。新GenII PolyMax™系統的推出得益於SiGen之前取得的眾多業界首創成就，包括率先製造出獨立式（free-standing）的20um（微米）、50um、85um、120um和150um的125mm和156mm業界標準方形無切損單晶矽太陽能電池晶圓。這些成就為光電業帶來了首創的真正無切損單晶矽晶圓製造技術。

PolyMax高產量製造系統的推出將推動整個產業在使用更低成本的零浪費晶圓解決方案來代替線鋸製程方面再前進一步。PolyMax系統的一大關鍵優勢在於該系統能夠生產出比線鋸技術所能達到的更薄晶圓，從而使該產業能生產出擁有更高光電轉換率和更低成本的太陽能電池。

Silicon Genesis總裁兼執行長Francois Henley表示：「我們相信，太陽能產業所面臨的嚴峻價格壓力將進一步推動質子束誘導晶圓製程的推廣。我們曾在2008年PVSEC大會上使用一部200萬伏高能質子植入機原型製造出50 um厚的晶圓，首次推出我們的束流誘導切削技術。我們相信，使用我們的技術將大幅削減製造高性能太陽能電池的成本，讓光電產業能夠早於預期數年在無補貼的情況下實現電網平價。這些薄和超薄太陽能晶圓擁有良好的性能，而且已經經過了我們合作夥伴和獨立第三方實驗室的測試。」

在被問及有關其他薄膜矽技術供應商最近發佈的新聞稿的問題時，Henley表示：「最新發佈的這些新聞進一步確認了市場需要能幫助降低高效矽吸光體製造成本的新方法和新製程。我們曾在2006年在美國國家可再生能源實驗室對Ampulse熱絲化學氣相沉積（CVD）技術和SiGen層轉移單晶矽薄膜一起進行了評估。我轉而選擇了我們的直接高能束流誘導切削方法。這方面能幫助公司使用他們新型的紋路支撐技術來製造高品質薄膜。就在我們這次新技術公佈前不久，Twin Creeks Technologies宣佈推出與我們束流誘導晶圓製程類似的製程，不過據報導他們的製程僅限於生產接合式（非獨立式）20um薄膜。作為束流誘導晶圓製造技術的先鋒企業，而且假定對方沒有使用我們100多項美國專利組合中任一種專利（我們正在監督），SiGen很高興看到另一家公司體認到薄晶矽在幫助大幅降低太陽能電池成本上的重要性。事實是Twin Creeks Technologies在評估了SiGen的束流誘導晶圓商業計畫和技術（包括我們的200萬電子伏特植入機原型）之後不久就獲得一家風險投資公司的資助，這一點值得關切。」

SiGen的束流誘導晶圓製造技術將不僅僅服務於太陽能市場。該核心技術還有能力為HB-LED以及利用矽、砷化鎵、鍺、碳化矽、氮化鎵和藍寶石的封裝/3D結構領域新出現的業界要求提供高品質的薄膜材料。該技術的關鍵優勢是在保證高性能材料在要求嚴苛的最終應用領域有效性的同時將高性能材料的成本降至最低。

關於SiGen

Silicon Genesis Corporation (SiGen) 是向半導體、顯示器、光電子元件和太陽能市場提供工程基板製程技術的一家領導廠商。SiGen的技術用於生產「絕緣矽」(SOI) 半導體晶片，以用於高性能應用。SiGen透過薄膜工程來開發創新性的基板，為其客戶開闢新的應用和市場。在SiGen的客戶和合作夥伴中，不乏世界各地的頂尖基板和設備供應商。SiGen成立於1997年，總部位於美國加州聖荷西市。關於Silicon Genesis的更多資訊，請瀏覽http://www.sigen.com。

照片/多媒體庫：http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=50208076&lang=en

免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

聯絡方式：

Silicon Genesis

Theodore Fong，408-228-5858

tfong@sigen.com