大直徑襯底片是降低LED生產成本的關鍵
新罕布林什州納舒厄市--(美國商業資訊)--ARC Energy今天公佈了一份最新出版刊物,對CHES™ c軸藍寶石生長技術的優勢進行了詳述。採用CHES技術之後,大直徑藍寶石基板的材料利用率達到75%或以上,而使用傳統技術沿a軸生長的藍寶石晶體,材料利用率只有10-20%。CHES大直徑襯底片成本較低,並提高了每運行一次金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)設備的LED晶片產量,且具有降低每流明成本的性能(比如更少、更規則的彎曲)。名為“Sapphire That Scales”的出版物是ARC Energy的 CHES Foundations系列中的最新出版物,其詳細闡釋了CHES技術和熔爐的優勢。
ARC Energy的高級副總裁Hap Hewes表示:“本行業必須轉而使用大直徑襯底片以降低成本,但是較早的藍寶石技術在朝這一方向轉型時卻有著明顯的制約。這正是我們研發CHES技術的原因所在:為了降低大直徑LED藍寶石襯底片的成本。”
目前,高亮度LED (HB-LED)行業正在尋求大幅節約成本的方法,以降低固態照明的價格,從而在通用照明市場實現大規模應用。在降低成本方面被廣泛認同的一個關鍵點是轉而使用大直徑襯底片,這與20多年前矽產業做出的轉型類似。“Sapphire That Scales”闡釋了基板更換為150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)的明顯優勢。使用150毫米襯底片類比的MOCVD設備單次運行能夠多生產出55%以上的LED晶片。採用200毫米襯底片後,與使用標準的50毫米襯底片相比,能夠多生產出77%以上的LED晶片。
儘管大直徑基板具有顯著的優勢,但是在採用較早的藍寶石生長技術生長這些基板時,材料利用率非常低。此外,由於生長時間標記不一致,較早的藍寶石生長技術在外延生長期間在MOCVD反應腔中出現較多且不平坦的彎曲(變形)。這不僅降低了LED晶片產量,而且需要昂貴的變通方案。
CHES技術專為克服傳統藍寶石技術在生產大直徑襯底片時的缺點而設計。CHES在c軸上生產藍寶石,利用率高且缺陷水準低。此外,沿c軸生長生產出的襯底片上每一部分都具有相同的受熱歷史,能夠在外延生長期間在MOCVD反應腔中出現較少的彎曲和變形。目前,CHES熔爐可以生產150毫米和200毫米的淨成形c軸晶棒。這使CHES熔爐生產的大直徑藍寶石基板成為未來製作高亮度LED的首選。
“CHES Foundations系列第二部分:Sapphire That Scales”可從www.arc-energy.com查閱。
Advanced RenewableEnergy Company, LLC (ARC Energy)總部位於美國新罕布什爾州的納舒厄(Nashua),于2007年創立,致力於實現LED和其他清潔能源市場尖端技術的商業化。ARC Energy提供高度自動化的高效藍寶石晶體生長與加工系統,能夠迅速實現LED的規模化生產並降低成本。
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