產品採用最新第八代製程,可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一款低導通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產品採用最新的第八代製程打造,可用於鋰離子電池保護電路和手機電源管理開關。其他兩款第八代產品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被納入該產品系列中,成為現有型號的換代產品。所有三款產品均有助於降低設備厚度和總體尺寸,並可提高效率。
應用
1. 鋰離子電池保護電路
2. 手機電源管理開關
主要特點
1. 由於採用了最新的第八代製程,因此產品的導通電阻比現有的東芝產品要低。
2. 採用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能。
3. 高抗雪崩性能。
新產品的主要規格
零件編號 VDSS(V) VGSS(V) RDS(ON) (mΩ) 封裝
VGS=10V VGS=4.5V
標準值 最大值 標準值 最大值
TPN2R503NC 30 ±20 2.1 2.5 3.2 4.1 TSON Advance
TPN4R203NC 3.5 4.2 5.1 6.4
TPN6R303NC 5.2 6.3 6.9 8.4
*透過以下連結瞭解該產品的更多資訊:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1265359_2470.html
關於東芝
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