- 精確度從DC至毫米波且採用單模型 -

東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布開發精確度從DC（直流）至毫米波(60 GHz)的緊湊型MOS可變電抗器1模擬模型。新模型由東芝和岡山縣立大學(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研製。

新的緊湊型MOS可變電抗器模型引進原始演算法來表達尺度效應，並可捕捉到支配60 GHz範圍的寄生效應的影響。針對元件大小不同的樣品，使用了1 MHz - 60 GHz的測量參數進行建模。一般而言，很難透過單模型來表示MOS可變電抗器，但是新開發的模型卻成功做到了這一點。

新模型能夠準確捕捉到寄生效應，這就為實現RF-CMOS產品的低功耗提供了支援。東芝將利用基礎技術來開發此類晶片，而這些晶片是該公司模擬與影像積體電路部門的主要裝置。受惠於目前已取得的成效，東芝預計將來可精確地對CMOS毫米波電路進行模擬。

透過自身的65 nm RF-CMOS技術，東芝已經打造出了元件長度從0.26 um至2.0 um不等的樣品，並使用這些樣品對新模型進行了驗證。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精確度。

該模型的驗證工作是在60 GHz電路上完成的。東芝使用這種用於調頻元件的模型對60 GHz VCO控制電壓上的相位雜訊水準依賴性進行了測量，並與電路模擬進行了比較。結果顯示，測量精度達8 dB，優於傳統模型2。

這些研發成果在12月4-7日在臺灣舉行的亞太微波會議(Asia-Pacific Microwave Conference)上進行了展示。

1. MOS（金屬氧化物半導體）可變電抗器是一種平面元件，歷來都使用CMOS技術製造。通常來說，該元件廣泛用於CMOS VCO（壓控振盪器）電路的調頻元件。

2. BSIM（伯克萊短溝道絕緣柵場效應電晶體模型）是通常用於模擬MOS可變電抗器的傳統模型。該模型由加州大學伯克萊分校開發。

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