工作溫度範圍為-40°C至125°C,有助於減少逆變電路的死區時間,提高效率
東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出採用DIP8封裝的IC耦合器,可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns,光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns,這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time),提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED,可支援-40°C至125°C的工作溫度。此外,該耦合器可將最低工作電壓降至10V(東芝之前型號的最低工作電壓只可降至15V),進而有助於降低功耗。該耦合器可應用於一系列產品中,包括高溫環境中使用的工業設備,家用太陽能光電發電系統,數位產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出,並計畫於2月份投入量產。
應用
IGBT/功率MOSFET閘驅動器,功率調節器,通用逆變器,IH(感應加熱)設備,等等。
主要特性
1. 工作電壓:VCC=10 - 30V
2. 傳輸延遲時間:tpLH, tpHL=500ns (最大值)
3. 傳輸延遲偏差:±150ns (最大值)
4. 寬廣的保證工作溫度範圍:Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值輸出電流:IOP=±2.5A (最大值)
6. 低輸入電流:IFLH=5mA (最大值)
7. 隔離電壓:BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬態抑制:CMR=±40kV/μs
*透過下述連結瞭解該產品更多資訊:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/opto/selection/topics/1267682_2411.html
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