東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布使用CMOS相容製程開發高功率增益電晶體。該電晶體可有效降低高頻射頻/類比前端應用的功耗。詳細資訊將於6月12日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

智慧手機和平板電腦等無線和行動裝置的快速成長正推動對低功耗和高性能射頻/類比電路的需求。但是，由於電晶體擴展會導致噪音和能量增益效率的下降，因此很難將數位電路廣泛使用的先進設備和製程技術應用至射頻/類比電路。

東芝透過一種新設備結構（使用兩種不同材料作為一個金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的閘電極）和一種製程整合方案（採用廣泛使用的常見半導體製造方法）解決了這一問題。這種方法實現了奈米級閘長控制。

電晶體的實驗結果顯示功耗顯著降低，並且作業速度沒有出現任何下降。

這種設備結構的獨特特徵是兩種材料（n型矽和p型矽）之間的薄氧化物阻擋膜，這種膜可以抑制雜質互擴散。閘電極區域中可以實現高電場，從而提高放大器效率。不同的閘電極材料採用不同的閘氧化膜厚度。這種結構在飽和狀態下可實現控制良好的設備屬性，即便在低工作電壓下也可實現。

這種新設備製程還適用於先進數位大型積體電路製造所使用的高介電閘極絕緣層。

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