東京--(美國商業資訊)--東芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布開發全球首款光罩式唯讀記憶體（MROM）單元，以提供更好的單元電流特性，並且單元尺寸不會增加。這項進展是透過採用多層單元結構實現的，該結構還可以保證高速運轉。詳細資訊將於6月14日在2013年超大型積體電路技術及電路研討會（Symposia on VLSI Technology and Circuits）期間公布，本次研討會將於2013年6月11日至14日在日本京都舉行。

MROM的主要作用是儲存開機載入程式或韌體。智慧手機和平板電腦等數位應用的SoC部署的MROM密度正逐年增加，為了縮短存取時間，有必要將每一代的MROM單元尺寸減半。

在典型的MROM位元單元（單層單元）中，隨著SoC製程技術的進步，製造方面的變化不斷增多，並且單元電晶體的溝道面積不斷縮小。因此40奈米一代的存取時間比先前一代製程有所增加。縮短存取時間需要更大的電晶體，因為更大的單元面積可以保證更大的溝道面積。

東芝已經開發出一種使用面積達到標準單層單元兩倍的多位元單元，使單元電晶體中的溝道寬度成功擴大了三倍。這也使得單元的電流特性提升了三倍，並且單位面積儲存容量未發生任何變化。它使得製造變化的影響降低了42%。

東芝已經使用40奈米製程開發了MROM單元，並計畫於2014年為部署該單元的數位應用交付SoC。

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