東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO: 6502)今天宣布透過TPN2R203NC擴充行動裝置鋰離子電池和功率管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC採用第八代製程打造,實現了低導通電阻,可減少設備的傳導損失。
主要特性 |
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1. |
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採用第八代製程打造,實現低導通電阻。 |
2. |
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採用TSON Advance封裝,具有很好的導熱性。 |
3. |
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高累增崩潰電阻。 |
主要規格 |
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產品型號 |
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封裝 |
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VDSS (V) |
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RDS(ON) (mΩ) |
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VGS=10V |
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VGS=4.5V |
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標準值 |
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最大值 |
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標準值 |
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最大值 |
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TPN2R203NC |
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TSON Advance |
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30 |
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1.8 |
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2.2 |
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2.8 |
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3.6 |
透過以下連結瞭解該產品更多資訊:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/transistor/1324089_37649.html
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電話:+81-3-3457-3416
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關於東芝
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東芝成立於1875年,如今已成為一家有著590多家附屬公司的環球企業,全球擁有206,000名員工,年銷售額逾5.8兆日圓(610億美元)。更多資訊請造訪東芝網站:www.toshiba.co.jp/index.htm
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