東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，該公司已針對支援LTE-Advanced技術的智慧型手機開發出SP12T[1]射頻(RF)天線開關積體電路(IC)，實現業界最低水準的插入損耗[2,4]和射頻失真[3,4]。樣品出貨即日啟動。
隨著行動通訊技術的普及，射頻頻段和資料傳輸速率的量也正顯著增加。對行動裝置射頻電路中所使用的天線開關IC的要求正逐漸朝著多埠，以及改善射頻性能的方向發展。此外，為了滿足新興市場高資料傳輸速率行動通訊裝置急劇成長的要求，以具有成本效益的方式來改善這些射頻性能實屬必要。
為了回應這些要求，東芝現已開發出新一代採用絕緣層上覆矽(SOI)技術[6]的TarfSOITM（東芝先進射頻SOI技術）[5]製程TaRF6。TarfSOITM實現了將類比、數位和射頻電路整合於單一晶片的目標。相較於其它的傳統解決方案，例如砷化鎵(GaAs)，該製程提供了一種高性價比解決方案，支援高度複雜的切換功能和射頻性能。
借助TaRF6新製程，為射頻開關應用客製的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)已被開發並應用於新型SP12T射頻天線開關IC中，從而帶來0.42dB插入損耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次諧波失真[7]的性能。與之前的TaRF5製程相比，插入損耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次諧波失真降低18dB。較低的插入損耗可降低智慧型手機的功耗，而較低的諧波失真則有利於開發需要低失真的載波聚合[8]智慧型手機。
東芝將於今年年底擴大採用具有低插入損耗和低失真的TaRF6製程的產品陣容，以滿足全球正在部署的長期演進(LTE)技術所需的多埠和複雜功能的要求，而LTE-Advanced[9]技術可望緊隨其後。此外，東芝正考慮提供採用TarfSOITM技術的SOI晶圓代工服務。
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注釋 |
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單刀12擲開關 |
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當電流在射頻電路中從一端流向另一端時所產生的電功率損耗，以分貝表示。 |
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當電流在射頻電路中從一端流向另一端時，輸出訊號中出現的多餘頻率分量。 |
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截至2014年9月10日的射頻天線開關市場。東芝調查。 |
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TarfSOITM是東芝公司的商標。 |
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該技術在MOSFET的通道下形成一層絕緣膜，並降低雜散電容，以改善CMOS LSI的速度和功率節省量。 |
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[7] |
具有2倍頻率的失真分量。 |
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[8] |
一種同時使用多個頻率載波來增加傳輸資料速率的技術。為了避免與接收器頻段重疊的諧波分量的接收性能出現下降，該應用需要更低的諧波性能。 |
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[9] |
一種由3GPP標準開發小組制定的新通訊標準。由國際電信聯盟(ITU)定義的第4代行動通訊系統中的一種。 |
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SP12T的插入損耗特性曲線（圖片：美國商業資訊）
東芝：SP12T射頻天線開關積體電路 （照片：美國商業資訊）
