德國慕尼黑與日本大阪--(美國商業資訊)--英飛淩科技公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與松下公司(TSE: 6752)宣布達成一項協議。根據該協議，在將松下常關型（增強型）矽基氮化鎵(GaN)電晶體結構整合到英飛淩表面黏著元件(SMD)封裝內的基礎上，雙方將聯手開發氮化鎵(GaN)元件。基於這項原因，松下將松下常關型GaN電晶體結構的授權提供給英飛淩。該協議將有助於這兩家公司製造高性能GaN元件。相容性封裝的GaN電源開關（目前任何其他矽基GaN元件都無法獲得這種裝置）將擁有兩個可靠的來源，客戶會從中獲得額外優勢。雙方均同意不進一步揭露本協議的任何細節。應用電力電子會議與設備展(APEC)將於2015年3月15至19日在北卡羅來納州夏洛特市舉辦。屆時兩家公司將在APEC上首次展示雙側引腳小輪廓封裝(DSO)的600V 70mΩ元件樣品。

作為一種下一代化合物半導體技術之一，矽基GaN一直以來都是重點關注的對象，一方面矽基GaN會使高功率密度和更小佔用空間（如對電源和配接器而言）成為可能，另一方面會成為提高能源效率的關鍵因素。總之，採用矽基GaN技術的功率元件可運用於廣泛的領域，從伺服器機組中的電源等高壓工業應用（所展示的600V GaN元件的潛在應用）到直流—直流(DC-DC)轉換器等低壓應用（如高階日用消費品）。一項IHS市場研究報告顯示，功率半導體元件矽基GaN相關市場可望實現以超過50%的年複合成長率(CAGR)成長，銷售額將從2014年的1500萬美元成長至2023年的8億美元。

英飛淩科技公司電源管理和多元市場部門總裁Andreas Urschitz 說道：「英飛淩致力於為客戶提供廣泛的一流產品和技術組合方案，其中包括以氮化鎵為基礎的可靠功率元件。我們相信，增強型矽基GaN開關將與對應的驅動程式和最佳化驅動方案一起為客戶創造巨大的價值，而雙源供應概念將有助於客戶實現供應鏈的管理和穩定。」

松下電器半導體有限公司(Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.)總裁Toru Nishida表示：「松下充分利用自身的複合半導體經驗開發了配置簡單、動力易於控制的常關型GaN功率技術。我們希望透過為英飛淩提供採用公司GaN功率技術的常關型GaN電晶體結構的授權來加速GaN功率元件的擴張。公司將不斷創新常關型GaN技術，以提供滿足客戶需求的解決方案。」

關於英飛淩

英飛淩科技公司(Infineon Technologies AG)是全球領先的半導體科技公司，致力於透過產品和系統方案為現代社會解決三大重要挑戰：能源效率、行動性和安全性。2014會計年度（截至9月30日），公司銷售額達43億歐元，在全球擁有約29,800名員工。2015年1月，英飛淩收購了總部位於美國的國際整流器公司(International Rectifier Corporation)。該公司是電源管理技術業的領先供應商，年收入達11億美元（2014會計年度，截至6月29日），擁有約4,200 名員工。

英飛淩在法蘭克福證券交易所（股票代碼：IFX）和美國場外交易市場OTCQX International Premier（股票代碼：IFNNY）掛牌上市。更多資訊，請造訪：www.infineon.com

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關於松下

松下是一家致力於為住宅、非住宅、行動及個人應用使用者開發和設計電子技術及解決方案的全球領軍企業。自1918年成立以來，松下已將業務擴張至全球，目前在全世界經營的附屬公司大約有500家。截至2014年3月31日，其合併淨銷售額達7.74兆日圓。松下致力於透過各部門的創新來追求新的價值，並努力為客戶創造更美好的生活和世界。如需松下詳情，請造訪公司網站http://panasonic.net。

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