東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布，該公司已根據使用小於當前主流技術功率的65奈米邏輯製程開發了快閃記憶體嵌入式製程，以及採用130奈米邏輯及類比電源製程開發了單層多晶矽非揮發性記憶體(NVM)製程。將最佳製程用於不同應用將使東芝能夠擴大其在微控制器、無線通訊積體電路(IC)、馬達控制驅動器和電源IC等領域的產品陣容。
130奈米非揮發性記憶體和65奈米快閃記憶體的樣品出貨計畫分別於2015年第四季和2016年第二季啟動。

目前，物聯網(IoT)市場在部分領域對低功耗有著強勁的需求，包括穿戴和醫療照護相關的設備。作為回應，東芝採用了SST^[2]的第三代SuperFlash^®電池技術，以及其自有的65奈米邏輯製程技術。該公司還擁有微調電路和製程，用於開發其超低功耗快閃記憶體嵌入式邏輯製程。採用這種製程的微控制器針對消費和工業應用推出，可將功耗降低至當前主流技術的約60%。

繼首個系列的微控制器之後，東芝計畫於2016會計年度推出短距離無線技術——藍牙低功耗(BLE)產品——的樣品。該公司還計畫將65奈米製程應用於其無線通訊IC產品系列，包括近距離無線通訊(NFC)控制器和非接觸式卡。這些無線通訊IC產品系列可最佳化利用低功耗特徵。

除了具備低功耗優勢外，該製程技術還有助於縮短開發時間，因為開發過程中應用軟體能夠輕鬆寫入和重新寫入快閃記憶體。

透過對提供超低功耗的設備進行工程改造，以進一步促進專門的快閃記憶體週邊電路技術及邏輯和類比電路技術的開發，東芝將滿足市場對低功耗應用持續成長的需求。該公司致力於以50μA/MHz操作為目標降低整個系統的功耗，以及針對物聯網開發創新產品。

在關心成本是否顯著降低的應用方面，東芝已開發了一種NVM嵌入式製程，這種製程將YMC^[3]的單層多晶矽多次程式設計(MTP)電池應用於東芝的130奈米邏輯製程技術中。
採用針對寫入時間的MTP規格可改善新製程的性能，同時將光罩圖案微影中增加的步數限制在三步或更少，甚至為零。
NVM和類比電路嵌在單一晶片上，可將多晶片系統通常執行的多個功能整合。此舉可減少終端數量，以及實現更小型化封裝。
透過利用MTP來調整輸出精度，東芝將擴大其在高精度極為重要的領域的產品陣容，例如電源管理IC。

注釋：
[1] NVM：非揮發性記憶體。
[2] SST：美國超捷半導體。美國微芯科技公司(Microchip Technology Inc.)的獨資子公司。
[3] YMC Inc.：億而得微電子公司。一家臺灣的IP開發公司。

* SuperFlash^®是美國微芯科技公司在美國及其他國家的註冊商標。

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