日本大阪--(美國商業資訊)--松下公司今日宣布其開發出一種用於功率元件的半導體封裝材料,該材料具有業界一流*1的耐高溫性能(玻璃化轉變溫度,可耐210°C高溫)和卓越的長期穩定性。CV8540系列產品將於2015年10月開始樣品出貨。
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市場對消耗更少能源的車輛以及尺寸更小、重量更輕的車載設備的需求一直不斷增加。為了解決這些問題,業界一直在關注採用碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)的功率元件。然而,當在汽車中使用時,功率元件必須擁有卓越的耐高溫性能和大電流特性以及卓越的長期穩定性。
目前廣泛使用的矽元件在工作時有時可能到達約125-150°C的高溫。由於碳化矽或氮化鎵元件具備處理大電流的能力,因此它們可以在這種高溫環境下工作,甚至可以在200°C以上的溫度下工作。
為了充分利用這項優點,用於功率元件的半導體封裝材料還必須擁有更出色的耐高溫性能和長期穩定性。傳統封裝材料具有一個缺點:當遇到高溫時,它們會從引線框架和元件上剝落。松下現在已實現業界一流*1的耐高溫性能並提高了材料內部的黏合性,讓該公司能夠開發並實現具有卓越長期穩定性的半導體封裝材料的商品化。
這種封裝材料具有以下優點:
1. 業界最佳的耐高溫特性有助於該功率元件應用於發熱或高溫環境中。
耐高溫特性(該封裝材料的玻璃化轉變溫度):高達210°C(我們的傳統產品*2:170-180°C)
2. 卓越的長期穩定性有助於提高功率元件的穩定性。
在下列耐環境性能測試中,未觀察到封裝材料出現裂紋,也未觀察到封裝材料從引線框架和功率元件上剝落。
• 溫度循環測試:-40-200°C, 1,000次循環
• 高溫擱置測試:200°C溫度下擱置3,000小時
*1 作為一種用於碳化矽或氮化鎵功率元件的半導體封裝材料。截至2015年10月1日的內部調查
*2 我們的傳統產品(CV4100系列)
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特性: |
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項目 |
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單位 |
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開發材料 |
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用於銅引線框架封裝 |
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用於陶瓷基板封裝 |
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玻璃化轉變溫度(Tg) |
°C |
210 |
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熱膨脹係數 |
ppm/°C |
14 |
11 |
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彎曲強度 |
MPa |
110 |
100 |
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彎曲模量 |
GPa |
13 |
13 |
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吸濕係數 |
% |
0.3 |
0.3 |
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模壓收縮率 |
% |
0.15 |
0.1 |
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成型方法 |
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傳遞模塑法、模壓成型法 |
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* 以上所有數值均為典型代表值,而非保證值。 |
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