東京--(美國商業資訊)--東芝公司(TOKYO:6502)旗下半導體與儲存產品公司今日宣布研發新一代TarfSOI™（東芝先進的射頻絕緣矽(SOI)）製程——TaRF8，該製程針對射頻(RF)開關應用進行了最佳化，實現了業界最低^[1]插入損耗^[2]。採用新製程製造的SP12T^[3]射頻開關IC適用於智慧型手機，樣品出貨將於2016年1月啟動。

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SP12T為一款用於行動應用的傳輸射頻開關IC，其搭載整合式MIPI-RFFE^[4]控制器，適用於3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE 和LTE-Advanced^[5]標準。採用東芝新一代製程——東芝享有專利的、針對射頻開關進行了最佳化的SOI-CMOS^[6] TarfSOI前端製程——TaRF8製造的產品實現了業界最低插入損耗(0.32db/2.7GHz)。與使用東芝當前TaRF6製程製造的產品相比，其插入損耗提高0.1dB，同時保持相同水準的失真特性。

隨著行動通訊趨向於高速率、大容量資料傳輸，智慧型手機等行動裝置所使用的射頻開關IC需要多埠支援和更高的射頻性能。在這一點上，降低插入損耗是一個尤為重要的因素，因為它降低射頻傳輸功率損耗，可支援行動裝置具備更長的電池續航時間。

東芝正在研發利用其內部晶圓廠應用SOI-CMOS技術的高性能射頻開關IC，SOI-CMOS技術適合於整合式類比和數位電路。透過處理該生產流程的所有方面，從射頻製程技術開發到射頻開關晶片的設計和製造，東芝可以根據其自己的射頻開關IC產品的研發結果回饋迅速改進SOI-CMOS製程技術。這種整合元件製造商(IDM)模式讓東芝能夠快速建立適合於實際產品的新製程技術，並在市場上推出採用最新製程技術製造的產品。

東芝將繼續提高其TarfSOI製程技術的性能，並透過推出領先其他製造商的尖端技術產品，努力滿足客戶和市場對射頻開關IC的需求。

注
[1] 截至2015年11月20日，射頻開關IC市場。東芝調查。
[2] 當射頻訊號透過射頻開關傳輸時發生的功率損耗，以分貝(dB)表示。
[3] 單刀十二擲開關
[4] 一種適用於行動裝置射頻元件控制的序列匯流排界面規範，由MIPI（行動通訊產業處理器介面）聯盟射頻前端(RFFE)工作小組標準化。
[5] 由3GPP（第三代合作夥伴計畫）規定的行動通訊標準。
[6] 透過利用MOSFET溝道下的絕緣層來降低寄生電容的技術。SOI：絕緣矽

* TarfSOI是東芝公司的商標。

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東芝：採用新一代SOI製程製造的射頻開關IC實現了業界最低插入損耗（照片：美國商業資訊）

適用於射頻開關的SOI製程TarfSOI(TM)的插入損耗特性（圖片：美國商業資訊）