東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社今日宣布推出一款新的MOSFET SSM6N357R，該產品在漏極和閘極端子之間設計有內建二極體。該元件適用於驅動機械繼電器等電感負載。量產出貨即日啟動。
此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
SSM6N357R整合有下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極體，有助於減少零組件數量並節省電路板空間。此外，由於該產品採用雙列直插式封裝（二合一），與採用兩個SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)單列直插式封裝產品的替代方案相比，其安裝面積減小42%。
SSM6N357R採用業界標準的TSOP6F級封裝，具備3.0V的低工作電壓並且通過了AEC-Q101認證，因此適合於汽車和許多其他應用。
應用場合
- 汽車應用的繼電器和螺線管控制
- 工業應用的繼電器和螺線管控制
- 辦公設備離合器控制
特點
- 節省電路板空間且元組件數量減少（實現了下拉電阻器、串聯電阻器和穩壓二極體的整合。）
- 3.0V的低工作電壓
- 雙列直插式封裝（二合一）
- 通過AEC-Q101認證
|
|
||||||
|
主要規格 |
||||||
|
(@Ta=25°C) |
||||||
|
項目 |
|
特性 |
||||
|
絕對最大額定值 |
|
漏源極電壓 VDSS (V) |
60 |
|||
|
閘源極電壓 VGSS (V) |
±12 |
|||||
|
漏極電流 ID (A) |
0.65 |
|||||
|
電氣特性 |
漏源極導通電阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
|
|VGS|=3.0V |
2400 |
||
|
|VGS|=5.0V |
1800 |
|||||
|
閘極總電荷 Qg典型值(nC) |
1.5 |
|||||
|
輸入電容 Ciss典型值(pF) |
43 |
|||||
|
封裝 |
|
TSOP6F |
|
2.9mm×2.8mm；t=0.8mm |
||
|
|
||||||
有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社最新小型低導通電阻MOSFET的更多資訊，請造訪如下連結：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html
客戶詢問：
小型訊號元件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一體。自2017年7月從東芝公司完成分割以來，我們已躋身領先的通用設備公司之列並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的分離式半導體、系統LSI和HDD解決方案。
公司遍佈全球的1.9萬名員工同心一致，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。我們期望基於目前超過7000億日圓（60億美元）的年度銷售額，致力於為全球人類創造更加美好的未來。
有關公司的更多詳情，請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
原文版本可在businesswire.com上查閱：http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/
免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
聯絡方式：
媒體詢問：
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
Chiaki Nagasawa，+81-3-3457-4963
數位行銷部
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
東芝電子元件及儲存裝置株式會社：SSM6N357R，適用於繼電器驅動器的小型雙MOSFET。（照片：美國商業資訊）
東芝電子元件及儲存裝置株式會社：等效電路（圖片：美國商業資訊）
