加州戈拉塔--(美國商業資訊)--首批符合JEDEC和AEC-Q101標準的最高可靠性650 V氮化鎵(GaN)半導體的設計和製造領導者Transphorm Inc.,今天公布了其氮化鎵功率場效應管(FET)在600 V和更高電壓下的業界第一份完整的驗證資料集。這些資料是該公司2018年12月公告的延伸,該公告顯示Transphorm的GaN FET出貨量迄今已超過25萬個。以下是公開的Transphorm客戶聲明背後的細節,其中可靠性是客戶選擇GaN元件的主要因素。
Transphorm全球技術行銷副總裁Philip Zuk解釋道:「在電源轉換市場中,品質、可靠性和性能是衡量電晶體的三項主要指標。我們始終堅定地認為,以品質和可靠性為優先考慮可以實現高壓GaN的成功。我們很自豪地看到這種策略取得了積極的成果,並認為有必要發布驗證資料,以便潛在和現有客戶能夠瞭解GaN的真實能力。」
該公司提供了兩種新的資料——早期失效率(ELF)和現場故障率——以完善驗證資料集,這象徵著高壓GaN技術的又一個重要里程碑。他們進一步地認為,Transphorm的GaN可靠性與其他的矽和碳化矽(SiC)解決方案相比具有競爭力並且可望超越——這是考慮到Transphorm的電源轉換技術尚處於第一個成熟階段,而矽電晶體早已成熟且SiC的發展已有十年的歷史。
高壓GaN可靠性:全景圖
Transphorm的完整資料集涵蓋產品可靠性的五個方面:
1. 產品認證:符合JEDEC和AEC-Q101標準。
2. 超出標準要求的測試:包括在更高溫度和電壓下的開關、單粒子燒毀(SEB)、HTOL和HTGB測試。
3. 本質壽命:衡量設備的「老化」壽命;也定義了故障模式和加速因子。
4. 非本質壽命或ELF:預測現場故障率,單位為一年的FIT (Failure in Time)或百萬分率(ppm);用於保固計算。
5. 現場故障率:衡量元件在客戶應用中的實際現場性能。
Transphorm品質和可靠性副總裁Ron Barr表示:「僅僅本質資料是不夠的。本質測試為我們提供加速因子,我們將它與早期失效測試結合使用,以確定產品的早期失效率。這讓客戶可以輕鬆地對GaN元件做出準確的評估。將本質資料與非本質資料和現場失效率相結合,就為GaN FET的性能提供了完整的基線。」
非本質早期失效率
本質失效率為產品的可靠性提供了不切實際的樂觀資料。ELF即早期失效率提供了以FIT和ppm為單位的最真實的圖景。早期失效率是對可能導致元件失效的材料、設計和製程控制中的潛在缺陷進行評估。值得注意的是,ELF是大多數客戶保固索賠的原因,並且通常比老化故障發生得更早,比率也更高。因此,客戶應使用ELF資料來確定保修風險和成本。
Transphorm的ELF:
· FIT:0.45
· ppm:4
現場故障率
現場故障率衡量的是客戶系統在生產中發生的與所售組件總數相關的元件數量。根據Transphorm已售出的逾25萬個FET及其13億小時以上的累計工作時間,得出的現場故障率如下:
· FIT:3.1
· ppm:27.4(保守估計)
Transphorm的現場失效率與SiC齊平,據報導其數值低於5 FIT。此外,無論何種應用,Transphorm的ppm率隨著時間的演變而持續下降,這表明其可靠性優於目前報告的水準。
請閱讀高壓GaN開關可靠性,以瞭解Transphorm的ELF和現場故障測試的詳細資訊。
本質壽命
本質壽命本質上是設備的理論壽命,它假設材料老化是影響組件壽命的唯一因素。其資料使用「失效物理學」方法獲得,透過提高電壓和溫度以測量故障時間,並建構用於預測最終壽命的相關模型。
Transphorm的GaN本質老化數據:
· 平均無故障時間[MTBF]1:1e11小時 [1100+萬年]
· 壽命2 [100 ppm]:1億小時 [11,415年]
關於Transphorm
Transphorm致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的最高性能、最高可靠性的GaN半導體。公司持有最大數量的智慧財產權組合之一(在全球已獲准和等待核准的專利達1,000多項),生產業界唯一經過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET。網站:www.transphormusa.com 中國網站:www.transphormchina.com
1 MTBF是指63.2%的元件失效的時間
2 壽命是指元件的使用達到100 ppm/年的老化階段
原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20190131005187/en/
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