加州戈利塔--(美國商業資訊)--首批通過JEDEC和AEC-Q101認證且具有最高可靠性的650V氮化鎵(GaN)半導體設計和製造領域的領導者Transphorm Inc.今日宣布，其第三代通過JEDEC認證的高電壓GaN平臺已通過汽車電子協會(Automotive Electronics Council)汽車級離散半導體AEC-Q101標準的壓力測試。這項成果象徵著該公司實現了第二個獲得汽車認證的產品系列。並且，值得注意的是，第三代GaN平臺在認證測試期間表現出了最高可靠性，能夠在175°C的溫度下運作。

Transphorm第三代AEC-Q101 GaN FET TP65H035WSQA具備35 mΩ的典型導通電阻，並採用產業標準的TO-247封裝。與其上一代產品——50 mΩ第二代TPH3205WSBQA一樣，該設備主要用於插電式混合動力汽車(PHEV)與純電動汽車(BEV)的AC-DC車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器及DC-AC逆變器系統。

無與倫比的可靠性閾值

Transphorm第三代設備於2018年6月推出，作為當時最高可靠性、最高品質[Q+R]的GaN FET進入市場。它們不僅具備更低的電磁干擾，而且抗雜訊性[閾值電壓為4 V]和閘極穩定性[±20 V]得到了提高。這些先進的技術成果利用最少量的外部電路，成功降低切換雜訊並提高了產品在較高電流下的性能。

品質和可靠性(Q+R)方面的改進使Transphorm有能力選擇JEDEC和AEC-Q101等擴展和加速標準測試。在本次最新通過的汽車認證中，該半導體製造商著重將該設備的耐熱極限較通過AEC-Q101認證的標準高電壓矽MOSFET提高25°C。

除證明了該GaN平臺的可靠性外，更高的溫度測試證明了Transphorm的AEC-Q101 GaN FET能夠在開發任何電動系統的過程中為設計工程師提供充足的熱餘量。

Transphorm全球技術行銷副總裁Philip Zuk表示：「證明設備的品質和可靠性應該是影響客戶對高電壓GaN FET的信心的最關鍵因素，在汽車和電動汽車市場尤其是如此。為了實現這一目標，我們確保公司的GaN能夠在遠超過任務剖面要求的實際條件下保持其性能和可靠性。根據所發布的可靠性資料顯示，經JEDEC認證的第三代平臺的現場失效率FIT為3個，與碳化矽的失效率相同。這一高可靠性水準使得Transphorm公司能夠成功推出工作溫度可達175°C的第三代汽車FET。」

如同2019年1月發布的業界首個現場可靠性資料和首批早期壽命失效率計算結果（上文引用的FIT率的來源）所證明的一樣，該公司第二個經AEC-Q101認證的設備進一步證實了Transphorm的品質和可靠性。

關於Transphorm

Transphorm致力於讓功率電子設備突破矽極限。公司設計、製造並銷售用於高壓電源轉換應用的具備最高效能、最高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm 擁有全球最多的 Power GaN IP（全球超過1000 多個已發布和審核中專利），生產業界唯一獲得 JEDEC 和 AEC-Q101 認證的 GaN FET。這來自於在每個階段進行創新的垂直整合商業方式：材料和元件設計、製造、線路整合、封裝、參考電路設計和應用支援。網站：www.transphormchina.com Twitter：@transphormusa

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