加州戈利塔--(美國商業資訊)--最高可靠性高電壓(HV)氮化鎵(GaN)半導體設計和製造領域的領導者Transphorm Inc.今日推出其第二款900 V場效應電晶體，即第三代TP90H050WS，從而增強了產業中唯一的900 V GaN產品系列。目前，這些元件使得三相工業系統和較高電壓的汽車電子元件能夠充分利用氮化鎵的速度、效率和功率密度。而且，該新場效應電晶體平臺採用Transphorm上一代650 V產品，業界唯一一款同時通過JEDEC和AEC-Q101認證的HV GaN產品。因此，系統開發人員在設計時可對其品質和可靠性充滿信心。

TP90H050WS在1000 V的瞬態額定值下具備50兆歐的典型導通電阻，並採用標準的TO-247封裝。TP90H050WS在典型半橋結構下可達到8千瓦的功率等級，同時保持效率可高達99%以上。其品質因數Ron*Qoss（諧振開關拓撲）與Ron*Qrr（硬開關電橋拓撲）比常見超接合技術產品的品質因數低二至五倍，這意味著開關損耗將大幅降低。雖然通過JEDEC認證的版本預計於2020年第一季推出，而客戶如今便能夠設計出900 V GaN電源系統。

Transphorm的首個900 V元件 TP90H180PS具有170兆歐的典型導通電阻，採用TO-220封裝，通過JEDEC認證，自2017年以來透過得捷電子(Digi-Key)進行產品供應。該產品的峰值效率可達到99%，證明其適用於3.5千瓦的單相逆變器。

在新高壓應用中確定氮化鎵的可行性

Transphorm共同創辦人兼營運長Primit Parikh表示：「 Transphorm最新900 V 氮化鎵產品象徵著商用氮化鎵功率電晶體的一個重要里程碑，因為它率先在業界達到了1千伏特的目標。這為推動氮化鎵產品在這些高壓節點中成為一種可行的方案創造了條件。美國能源部先進能源研究計畫署(ARPA-E)提供了部分資金，成功降低了早期階段的風險，同時Power America在最初產品認證方面提供了協助，此一措施展現了公私合作所取得的巨大成功，加快了氮化鎵的市場普及進度。」

Transphorm 900 V氮化鎵平臺為已成為公司650 V場效應電晶體的目標應用場合的各類系統提供更高水準的擊穿電壓，例如可再生能源、汽車及各種廣泛的工業應用。該平臺適用於採用DC-DC轉換器及逆變器中常用的無橋式圖騰柱功率因數校正(PFC)半橋式配置進行部署。在高壓下支援這些拓撲的能力擴大了Transphorm的目標應用，目前涵蓋不斷電供應系統和高電瓶電壓節點下的汽車充電器或轉換器等一系列廣泛的三相工業應用。

PowerAmerica為該專案提供部分資金，其副執行董事兼技術長Victor Veliadis表示：「900 V氮化鎵功率元件打破了目前不支援氮化鎵半導體應用的技術壁壘。憑藉900 V氮化鎵平臺之類的創新技術，Transphorm正推動該產業不斷進步並創造了大量新的客戶機會。」

TP90H050WS除具有如前所述的差異化特性之外，還具備以下優點：

• 可使用現有的驅動器輕鬆驅動
• 可靠的閘極安全裕度
• 功率密度高於現有的矽技術
• 性能超越IGBT、超接合技術
• 降低了系統總成本
• 減輕系統重量

供貨

目前處於樣品提供階段。欲訂購零組件，請造訪TP90H050WS產品頁面。

設計資源

• 資料手冊
• TDINV3500P100-KIT 3.5kW 逆變器評估平臺(TP90H180PS)
• SPICE型號
• 應用設計支援

關於Transphorm

Transphorm致力於設計並製造最高性能、最高可靠性的650 V與900 V氮化鎵半導體。公司擁有1000多項專利，生產業界唯一同時通過JEDEC和AEC-Q101認證的GaN FET。

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