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Toshiba 2019

東芝用於電壓諧振電路的新型分立IGBT有助於降低功耗並簡化設備設計

2019-12-24 14:51
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東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,簡稱「東芝」)已推出一款1350V分立式絕緣閘雙極型電晶體(IGBT) GT20N135SRA,適用於檯面式電磁感應加熱(IH)調理爐、IH電子鍋、微波爐及其他家用電器的電壓諧振電路。即日起出貨。

此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

GT20N135SRA的集電極-發射極飽和電壓[1]為1.75V,二極體正向電壓[2]為1.8V,分別比當前產品[3]低約10%和21%。IGBT和二極體在高溫(TC=100℃)下均具有改良型傳導損耗特性,新型IGBT可幫助降低設備功耗。它還具有0.48℃/W(最大值)的結到外殼熱阻,比當前產品[3]低約26%,從而簡化熱設計。

新型IGBT可抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。其電路電流[4]峰值為129A,比當前產品[3]降低約31%。隨著安全操作範圍的擴大,與當前產品[3]相比,它讓設備設計變得更加輕鬆。

應用場合

使用電壓諧振電路的家用電器(例如檯面式IH調理爐、IH電子鍋和微波爐)

特性

  • 低傳導損耗:
    V CE(飽和)= 1.6V(典型值)(IC = 20A、VGE = 15V、Ta = 25℃時)
    VF = 1.75V(典型值)(IF = 20A、VGE = 0V、Ta = 25℃時)
  • 低結到外殼熱阻:Rth(結到外殼)= 0.48℃/W(最大值)
  • 抑制設備開啟時流過諧振電容器的短路電流。
  • 廣泛的安全操作範圍

主要規格

(除非另有說明,Ta=25 °C時)

產品名稱

封裝

絕對最大額定值

集電極-發射極飽和電壓

VCE(飽和)

典型值

IC=20A、

VGE=15V時

(V)

二極體正向電壓

VF

典型值

IF=20A、

VGE=0V時

(V)

切換時間

(衰減時間)

tf

典型值

電阻負載時

(μs)

結到外殼熱阻

Rth(結到外殼)

最大值

(℃/W)

集電極-發射極電壓

VCES

(V)

集電極電流

(直流)

IC

@TC=25℃

(A)

集電極電流

(直流)

IC

@TC=100℃

(A)

結溫度

Tj

(℃)

GT20N135SRA

TO-247

1350

40

20

175

1.60

1.75

0.25

0.48

注釋:
[1] 截至2019年6月,東芝測得值。(測試條件:IC = 20A,VGE = 15V,TC = 100℃)
[2] 截至2019年6月,東芝測得值。(測試條件:IF = 20A,VGE = 0V,TC = 100℃)
[3] 東芝的當前產品GT40RR21
[4] 截至2019年6月,東芝測得值。(測試條件:VCC = 300V,VGG = 15V,C =0.33μF,t =5μs,Ta = 25℃)

有關新產品的更多資訊,請關注以下連結。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA

有關東芝IGBT產品系列的更多資訊,請關注以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/igbt-iegt/igbt.html

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客戶詢問:
功率元件銷售與行銷部
電話:+81-3-3457-3933
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有關公司的更多詳情,請造訪:https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

原文版本可在businesswire.com上查閱:https://www.businesswire.com/news/home/20191222005005/en/

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東芝:1350V分立式IGBT GT20N135SRA,適用於檯面式IH調理爐及其他家用電器的電壓諧振電路。(照片:美國商業資訊)

東芝:1350V分立式IGBT GT20N135SRA,適用於檯面式IH調理爐及其他家用電器的電壓諧振電路。(照片:美國商業資訊)

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