東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）為其採用最新一代製程的「U-MOS X-H系列」增加了80V N溝道功率MOSFET。新推出的MOSFET適用於資料中心和通訊基地台中所用的工業設備的開關電源。
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新增產品包括採用表面黏著SOP Advance封裝的TPH2R408QM以及採用TSON Advance封裝的TPN19008QM。產品即日起出貨。
由於採用了最新一代製程技術，比當前製程U-MOS VIII-H系列中的80V產品相比，新款80V U-MOS X-H產品的漏源導通電阻降低了大約40%。透過最佳化元件結構，漏源導通電阻與閘極電荷特性[1]之間的平衡也得到了改善[2]。因此，新產品可提供業界最低的功耗[3]。
東芝正在擴展其降耗型產品系列，以協助降低設備功耗。
應用場合
- 開關電源（高效率AC-DC轉換器、DC-DC轉換器等）
- 馬達控制設備（馬達驅動器等）
特性
- 業界最低[3]功耗（透過改善導通電阻與閘極電荷特性[2]之間的平衡）
-
業界最低 [3]導通電阻：
VGS=10V (TPH2R40QM)時，RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）
VGS=10V (TPN19008QM)時，RDS(ON)=19mΩ（最大值） - 高額定通道溫度：Tch = 175℃
主要規格
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（除非另有說明，Ta=25℃時） |
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產品型號 |
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絕對 最大 額定值 |
漏源電壓VDSS (V) |
80 |
80 |
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漏極電流(DC) ID (A) |
Tc=25℃時 |
120 |
34 |
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通道溫度Tch (℃) |
175 |
175 |
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電氣 特性 |
漏源導通電阻 RDS(ON)最大值(mΩ) |
VGS=10V時 |
2.43 |
19 |
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VGS=6V時 |
3.5 |
28 |
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總閘極電荷（閘源+閘漏） Qg典型值(nC) |
87 |
16 |
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閘極開關電荷Qsw典型值(nC) |
28 |
5.5 |
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輸出電荷Qoss典型值(nC) |
90 |
16.5 |
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輸入電容Ciss典型值(pF) |
5870 |
1020 |
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封裝 |
名稱 |
SOP Advance |
TSON Advance |
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尺寸典型值(mm) |
5.0×6.0 |
3.3×3.3 |
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進貨與採購 |
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注：
[1] 總閘極電荷（閘源+閘漏）、閘極開關電荷、輸出電荷
[2] 與TPH4R008NH（U-MOS VIII-H系列）相比，TPH2R408QM的漏源導通電阻x總閘極電荷約提高15%，漏源導通電阻 x 閘極開關電荷約提高10%，漏源導通電阻x輸出電荷約提高31%。
[3] 截至2020年3月30日，東芝調查。
如需獲得有關新產品的更多資訊，請關注以下連結
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
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TPH2R408QM
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TPN19008QM
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東芝：80V N溝道功率MOSFET「U-MOS X-H系列」（照片：美國商業資訊）
