東京--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡稱「東芝」）推出1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B。該產品適用於大容量電源等工業應用，於即日起供貨。
此新聞稿包含多媒體內容。完整新聞稿可在以下網址查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/
該功率MOSFET採用新材料SiC，與常規的矽(Si) MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，因此有利於降低功耗，精簡系統。
這款新元件採用可提高SiC MOSFET可靠性的東芝第二代晶片設計[1]生產，具有低輸入電容、低閘極輸入電荷、低漏源導通電阻等特性。與東芝的1200V矽絕緣閘極雙極電晶體(IGBT) GT40QR21相比，其關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）大約縮短70%，並且能夠在不超過20A的漏極電流下提供低導通電壓[2]。
其閘極閾值電壓設定在4.2V至5.8V的較高電壓範圍內，有助於降低故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內建的具有低正向電壓的SiC肖特基勢壘二極體(SBD)也有助於降低功耗。
在大容量AC-DC轉換器、太陽光逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業應用中，這款新型MOSFET將不僅透過降低功耗來達到提高效率的目的，而且也有助於縮小設備尺寸。
注釋：
[1] 東芝於2020年7月30日發布的新聞：《東芝的新元件結構提高SiC MOSFET的可靠性》
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2020/07/mosfet-20200730-1.html
[2] 環境溫度25°C
應用場景
- 大容量AC-DC轉換器
- 太陽光逆變器
- 大容量雙向DC-DC轉換器
特性
- 第二代晶片設計（內建SiC SBD）
- 高電壓、低輸入電容、低總閘極電荷、低導通電阻、低二極體正向電壓、高閘極閾值電壓：
VDSS=1200V，Ciss=1680pF（典型值），Qg=67nC（典型值），RDS(ON)=70mΩ（典型值），VDSF=-1.35V（典型值），Vth=4.2～5.8V
- 易於操作的增強類型
主要規格
|
（除非另有說明，Ta=25℃） |
|||||||||
|
元件 型號 |
封裝 |
絕對最大額定值 |
電氣特性 |
庫存查詢與供貨 |
|||||
|
漏源 電壓 VDSS (V) |
漏極電流 (DC) ID Tc=25℃時 (A) |
漏源 導通電阻 RDS(ON) 典型值 VGS=20V時 (mΩ) |
閘極閾值電壓 Vth VDS=10V， ID=20mA時 (V) |
總閘極電荷 Qg 典型值 (nC) |
輸入電容 Ciss 典型值 (pF) |
二極體正向電壓 VDSF 典型值 IDR=10A, VGS=-5V 時 (V) |
|||
|
TO-3P(N) |
1200 |
36.0 |
70 |
4.2至5.8 |
67 |
1680 |
-1.35 |
||
如需瞭解有關新產品的更多資訊，請按以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TW070J120B
如需查看線上經銷商的新產品供應情況，請造訪：
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW070J120B.html
如需瞭解有關東芝SiC MOSFET的更多資訊，請點擊以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html
如需瞭解有關東芝SiC功率元件的更多資訊，請按以下連結。
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/sic-power-devices.html
客戶詢問：
功率元件銷售與行銷部
電話：+81-3-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
*本新聞稿中的資訊，包括產品價格和規格、服務內容以及聯絡資訊僅反映截至本新聞稿發布之日的情況，如有變動，恕不另行通知。
關於東芝電子元件及儲存裝置株式會社
東芝電子元件及儲存裝置株式會社集新公司的活力與集團的經驗智慧於一身。自2017年7月成為一家獨立公司以來，公司已躋身領先的通用設備公司之列，並為客戶和商業合作夥伴提供卓越的離散半導體、系統LSI和HDD解決方案。
公司遍布全球的2.4萬名員工同心同德，竭力實現公司產品價值的最大化，同時重視與客戶的密切合作，促進價值和新市場的共同創造。公司期待在目前超過7500億日圓（68億美元）的年度銷售額基礎上再接再厲，為全球人類創造更加美好的未來。
有關東芝電子元件及儲存裝置株式會社的更多詳情，請造訪：https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
原文版本可在businesswire.com上查閱：https://www.businesswire.com/news/home/20201018005077/en/
免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
聯絡方式：
媒體詢問：
東芝電子元件及儲存裝置株式會社
數位行銷部
Chiaki Nagasawa
電話：+81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
東芝：1200V碳化矽(SiC) MOSFET TW070J120B，用於大容量電源等工業設備。（圖片：美國商業資訊）
