加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，安川電機(Yaskawa Electric)已將其價值1560萬美元的Transphorm可轉換債券以每股5.00美元的價格100%轉換為Transphorm普通股。安川電機是世界領先的中低電壓變頻驅動器、伺服馬達、機器控制器和工業機器人製造商，年營收超過37億美元。

Transphorm和安川電機將根據之前公布的多年期合作夥伴關係繼續合作，開發用於機器人和運動控制以及更廣泛的工業和白色家電應用領域的伺服驅動器氮化鎵產品。安川電機打算將Transphorm領先的氮化鎵功率元件產品用於各種創新型工業功率轉換應用，最初將用於伺服馬達和變頻驅動應用。

安川電機技術長兼常務執行官Akira Kumagae在評論此次公告時表示：「我們很高興成為Transphorm的股東，我們將繼續合作開發具有高可靠性、更高功率的氮化鎵產品，這些產品適用於各種運動控制應用。Transphorm的氮化鎵FET解決方案將使打造更高頻率的高效氮化鎵功率元件和模組成為可能，而這些元件和模組也將滿足短路保護功能等嚴苛的系統要求。」

Transphorm共同創辦人兼技術長Umesh Mishra評論道：「Transphorm非常重視與安川電機的長期合作關係，很高興能增加像安川這樣的全球運動控制和機器人領域的領先企業作為我們的策略股東。我們感謝他們以每股5.00美元的價格將1560萬美元的Transphorm債券轉換為Transphorm股票所表現出的信心。安川電機將繼續幫助Transphorm氮化鎵藍圖取得關鍵發展，為工業和馬達控制市場打造高性能功率元件。」

根據公平市場價值估計，此次Transphorm債券轉換還會為Transphorm的資產負債表增加1700多萬美元的正股東權益。此次投資後，安川電機將擁有約310萬股的Transphorm股份，約占該公司7%的股權。

Transphorm共同創辦人兼總裁Primit Parikh表示：「此次股權轉換顯著加強了我們的資產負債表，是公司實施之前公布的普通股在那斯達克上市計畫的一大關鍵貢獻因素。此舉也展現了Transphorm領先的高壓氮化鎵平臺的實力，我們的產品應用範圍從45瓦到10千瓦，具有極高的品質和可靠性水準。到目前為止，我們還沒有看到任何其他具有競爭力的氮化鎵平臺能夠覆蓋如此廣泛的功率等級或應用領域，或者實際投產，很多其他的現有氮化鎵產品，如IC，通常都限制在500瓦以下。」

TGAN技術幫助市場發展
Transphorm的專利氮化鎵平臺在滿足功率轉換應用性能要求的很多關鍵方面都與競品解決方案不同——從45瓦快速充電器/配接器到1至4千瓦遊戲、資料中心伺服器以及加密挖礦電源，再到更高功率的工業、UPS，以及汽車變頻器/逆變器應用領域。Transphorm是少數的垂直一體化高壓氮化鎵製造商之一，因此可以控制FET設計本身、磊晶起始原料和製程的創新和進步。這帶來了：

• 越來越多地應用於更低功率配接器和快速充電器領域：從2020年7月到2021年6月，採用精簡型PQFN封裝的SuperGaN^®第IV代平臺單位出貨量季年複合成長率超過200%。此平臺可提供經過驗證的氮化鎵元件優越性能以及與已經擁有整合驅動的標準控制器的相容性，因此Transphorm氮化鎵FET具有極為全面的設計和驅動靈活性，這是其他氮化鎵產品（如e-mode或IC）無法輕而易舉就能具備的，因為對它們來說，這需要額外的備援驅動或介面電路。
• 遊戲、伺服器、加密挖礦和工業/能源應用領域的更高功率產品：以Transphorm第III代和SuperGaN第IV代和第V代為基礎的單位出貨量穩步成長，這些元件採用具有熱優勢的TO-247封裝，這是一個被廣泛接受和使用的封裝組態。Transphorm的氮化鎵和客戶的解決方案（如鈦金級效率的電源）多年來已經在這些領域樹立了標竿。目前，這種強大的封裝組態在對於e-mode或IC氮化鎵類型的產品來說都是不可能的，因為相應的氮化鎵元件對標準引腳封裝中的損壞存在固有的敏感性。
• 一流的品質和可靠性，以及高產量重現性：超過200億小時的Transphorm FET現場可靠性資料證明，FIT率小於0.4，這意味著在現場失效的機率小於每十億小時1次。Transphorm在其AFSW晶圓廠控制的專有製程可提供與同一晶圓廠矽產量相符的高產量。

關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，該公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和在WeChat @Transphorm_GaN上關注我們。

前瞻性陳述
本新聞稿包含有關該公司的技術和產品、市場對氮化鎵技術的接受度以及該公司研究中產品和未來預期成長方面的前瞻性陳述（包括修訂版《美國1934年證券交易法》和修訂版《美國1933年證券法》第27A條界定的陳述）。前瞻性陳述通常包括具有預測性質的陳述，這些陳述取決於或引用未來的事件或條件，而且包括諸如「可能」、「將」、「應當」、「將要」、「期望」、「計畫」、「認為」、「打算」、「期待」之類的詞彙以及其他類似表達方式。前瞻性陳述是非歷史事實的陳述。前瞻性陳述根據當前的信念和假設，這些信念和假設會受到風險和不確定因素的影響，並非未來業績的保證。由於各種因素的影響，實際結果可能與任何前瞻性陳述中的結果大相徑庭，這些因素包括但不限於：Transphorm營運相關的風險，例如額外的融資要求和獲得資本的機會；競爭；Transphorm保護其智慧財產權的能力；以及該公司向美國證券交易委員會遞交的文件中規定的其他風險。除非適用法律要求，否則無論是由於新資訊的出現、將來事件或任何其它原因，該公司均無義務對任何前瞻性陳述進行修正或更新。

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