日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的陣容。
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新模組在安裝方式上與廣泛使用的矽(Si) IGBT模組相容。其低能量損耗特性滿足了工業設備對更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車輛的轉換器和逆變器，以及可再生能源發電系統。
應用
- 軌道車輛的逆變器和轉換器
- 可再生能源發電系統
- 馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器
特點
- 安裝方式相容Si IGBT模組
- 損耗低於Si IGBT模組
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值），Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A，Tch=150°C
- 內建NTC熱敏電阻
主要規格
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（除非另有規定，否則@Tc=25°C） |
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組件編號 |
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封裝 |
2-153A1A |
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絕對
最大
額定值 |
漏級-源級電壓VDSS (V) |
1200 |
1700 |
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閘級-源級電壓VGSS (V) |
+25/-10 |
+25/-10 |
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漏極電流 (DC) ID (A) |
600 |
400 |
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漏極電流（脈衝）IDP (A) |
1200 |
800 |
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溝道溫度Tch (°C) |
150 |
150 |
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隔離電壓Visol (Vrms) |
4000 |
4000 |
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電氣
特性 |
漏級-源級導通電壓（感應）
VDS(on)sense典型值(V) |
@VGS =+20V,
Tch＝25°C |
0.9
@ID＝600A |
0.8
@ID＝400A |
|
源級-漏級導通電壓（感應）
VSD(on)sense典型值(V) |
@VGS =+20V,
Tch＝25°C |
0.8
@IS＝600A |
0.8
@IS＝400A |
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|
源級-漏級關斷電壓（感應）
VSD(off)sense典型值(V) |
@VGS =-6V,
Tch＝25°C |
1.6
@IS＝600A |
1.6
@IS＝400A |
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|
開通損耗Eon typ. (mJ)
Eon典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
25
@ VDS=600V,
ID=600A |
28
@VDS=900V,
ID=400A |
|
|
關斷損耗Eoff typ. (mJ)
Eoff典型值(mJ) |
@Tch=150°C |
28
@ VDS=600V,
ID=600A |
27
@VDS=900V,
ID=400A |
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熱敏電阻特性 |
額定NTC電阻R典型值(kΩ) |
5.0 |
5.0 |
|
|
NTC B值 B典型值(K) |
＠TNTC=25 - 150°C |
3375 |
3375 |
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MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
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SiC功率元件
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東芝公司：1200V和1700V的碳化矽(SiC) MOSFET模組支援體積更小、更高效率的工業設備。（圖片：美國商業資訊）
