東京--(美國商業資訊)--JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發進程，以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應用於製造先進的DRAM晶片。Inpria擁有廣泛專利的EUV金屬氧化物光阻劑平臺使客戶能夠高效率地對先進節點設備架構進行製版。 

Inpria的材料解決方案提供可大幅降低EUV製版成本所需的性能，並能夠與成熟的製程和設備配置相容。Inpria的MOR可透過標準旋塗製程來使用。 

SK hynix研發製程負責人BK Lee表示：「EUV製程很複雜，需要尖端材料。氧化錫抗蝕劑有望為新一代先進DRAM晶片的製造提供所需的高性能，並進一步降低製造成本。」 

JSR資深管理人員Tadahiro Suhara表示：「JSR的技術一直以材料創新為基礎。我們致力於透過實現極小特徵尺寸的高效率印刷技術來加速推動SK hynix的技術藍圖。該科學創造具有開創性，同時也具有經濟性。」 

EUV已經在商業化生產中使用，用於半導體製造業極為先進的微影製程。而且，隨著業界在晶片製造中向更小的臨界尺寸發展，EUV的使用量預計將大幅增加。 

Inpria是金屬氧化物EUV抗蝕劑的領導廠商，已利用EUV微影曝光系統實現了全球領先的精細解析度。JSR於2021年收購了Inpria，並且隨著EUV應用的不斷增加，正在投資擴大生產能力，加強客戶支援服務，以實現量產。 

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