加州戈利塔--(美國商業資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天發布了氮化鎵功率場效應電晶體(FET)的最新可靠性指標。可靠性採用失效率(FIT)來衡量，這種分析方式考慮了在應用現場使用時客戶報告的故障元件數量。到目前為止，根據超過850億小時的現場操作進行測量，該公司全部產品組合的可靠性已達到平均值小於0.1 FIT的水準。這一指標在業界名類前茅，也是目前GaN電源解決方案中唯一報告的寬功率譜可靠性指標。 

Transphorm在建構其GaN平臺之初便考慮了可靠性，在寬頻隙技術剛進入市場時便深知其重要性：儘管GaN擁有比矽基電晶體更高的性能，但若非元件在實際使用中出現故障，客戶不會在當時選擇切換到新技術。2019年，Transphorm成為首家公布完整驗證資料集以支援其可靠性聲明的GaN製造商。自此之後，該公司定期分享其GaN可靠性成果，幫助潛在客戶在選擇半導體供應商時做出明智的決策。Transphorm上一次報告其FIT率是在2022年第一季，數值小於0.3。 

今年，Transphorm在改變客戶評估GaN FET選項方面又向前邁出了一步。公司經過考慮，將其可靠性資料分為兩類： 

• 低功率：用於功率等級≤ 500 W的應用中的GaN元件
• 高功率：用於功率等級> 500 W的應用中的GaN元件

如果依功率等級類型來考察元件性能，Transphorm旗下GaN FET的可靠性指標如下，這些指標與矽基功率元件極為相近： 

• 低功率：0.06 FIT
• 高功率：0.19 FIT

Transphorm業務發展與行銷資深副總裁Philip Zuk表示：「我們的高壓GaN元件適合極為廣泛的應用，涵蓋極為廣泛的功率譜，目前為45瓦到4瓩，隨著GaN在新市場的應用，有可能達到10瓩以上。這顯示我們的技術具有顯著的通用性。然而，我們也意識到，僅僅報告涵蓋所有應用類型的單一可靠性指標，可能對客戶不會有太大幫助。我們認為有必要幫助他們獲得細分度更高的資料，以適用於客戶的具體設計要求。因此，我們在低功率和高功率之間做了細分。」 

跨產業領導廠商

Transphorm憑藉其元件品質和可靠性繼續保持高壓GaN的領導地位。該公司向各種終端市場供貨，如配接器、PC計算、區塊鏈、資料中心、可再生能源和電力儲存等。 

如需進一步瞭解SuperGaN技術的差異化優勢，請造訪此處：http://bit.ly/38HHGF7。 

關於Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。 

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