加州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商。該公司今天宣布，作為2023年應用電力電子會議(APEC 2023)的銀牌合作夥伴，將在大會上展示多種產品和解決方案，以彰顯公司在廣譜（低功率到高功率）GaN電源轉換方面的持續領導地位。歡迎與會者在3月19日至23日大會期間參觀853號Transphorm攤位。
今年，Transphorm將展示最近發布的WT7162RHUG24A元件。該元件採用Transphorm與偉詮電子(Weltrend Semiconductor)合作開發的新型SuperGaN®系統級封裝(SiP)，旨在完善其全面、靈活的場效應電晶體(FET)產品組合。該元件將為客戶創造新機會，讓客戶能夠在Transphorm的高性能GaN平臺上輕鬆、快速地進行設計，同時減少物料清單(BOM)元件數量和總體系統成本。
Transphorm還將展示來自不同市場的全球頂尖品牌客戶的新型生產中產品。APEC與會者還將瞭解到現有GaN電源應用的嵌入式和替換式解決方案。最後，公司將以抽獎方式贈送出一款消費產品。在Transphorm的GaN技術的加持下，該產品具有顛覆式的性能。
單核心平臺，涵蓋全部電源功率範圍
Transphorm是一家領先的GaN功率半導體公司，憑藉以下技術特性而擁有競爭優勢：
可製造性：垂直一體化，擁有EPI設計、晶圓製造製程和FET晶片設計能力。
可設計性：提供廣泛採用的產業標準封裝和性能封裝，同時與全球知名的韌體領導者（微芯科技(Microchip Technology)）和硬體整合領導者（偉詮電子）合作，簡化了設計。
可驅動性：旗下元件的驅動方式與矽元件相同，可與現成的控制器和驅動器搭配使用，同時僅需少量外部電路。
可靠性：在覆蓋低功率到高功率的所有應用中，經超過1000億小時的現場運作後，當前的失效率(FIT) < 0.05，處於產業領先地位。
Transphorm現支援範圍極廣的電源轉換要求（45 W至10+ kW），涵蓋極為廣泛的電源應用。公司的FET產品組合包括650 V和900 V元件，以及正在開發的1200 V元器件。這些元件均通過JEDEC和AEC-Q101認證，是適用於電源配接器、電腦電源設備(PSU)、廣泛的工業不斷電供應系統(UPS)和電動汽車行動系統等的一流解決方案。這些將在APEC會議上展示的客戶產品組合彰顯出Transphorm的SuperGaN平臺具有廣泛的實用性。
贈品：「小而強」的65WHP USB-C筆記型電腦充電器
Transphorm攤位參觀者將有機會贏得一個「小而強」的GaN HP USB-C PD/PPS電源配接器。該配接器配備了兩個連接埠，可同時進行快速充電。惠普筆記型電腦充電器使用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG——650V GaN FET。
演講活動
Transphorm專家將發表以下演講：
用於電動車應用的650 V和1200 V高功率GaN元件
產業專題會議(IS03)，3月21日上午8:30
演講貴賓：技術長辦公室技術小組成員Davide Bisi
900 V GaN – 為可靠性而生
產業專題會議(IS12)，3月22日上午9:20
演講貴賓：工程副總裁Likun Shen博士
歡迎參觀我們的攤位
如需在展會期間安排與Transphorm會面，請聯絡我們：vipin.bothra@transphormusa.com。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的商業模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、元件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
SuperGaN標誌是Transphorm, Inc.的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。
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