加州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)是一家全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體公司，在核心技術和產量上均領先業界。公司今天宣布，已獲得一份來自National Security Technology Accelerator (NSTXL)的合約，價值高達1500萬美元。該合約的內容與ECLIPSE專案有關，根據該合約，NSTXL將委託Transphorm生產先進的氮化鎵磊晶片。公司能夠有機會為該專案做出貢獻，彰顯出Transphorm在先進氮化鎵材料領域的智慧財產權、知識和專長，以及其MOCVD製造基礎建設的優勢。

Transphorm在氮化鎵磊晶片的設計、開發以及各種突破性高壓氮化鎵平臺的生產方面擁有超過十年的經驗。作為一家半導體先驅企業，上述專長讓Transphorm進入了功率和射頻氮化鎵業務的多個垂直領域。

Transphorm共同創辦人兼技術長Umesh Mishra表示：「眾所周知，先進氮化鎵材料應用廣泛，擁有顯著的價值和發展潛力。我們已經開發了多個高功率密度平臺，實現了創紀錄的效能和效率優勢，我們的產品非常適合功率轉換和射頻應用。這種類型的創新正是Transphorm的優勢所在，因為我們能夠生產適合各種應用的優質核心磊晶材料，並擁有先進的設備和製造能力。我們一直致力於發展和改進氮化鎵技術的各個方面，包括材料、設計和製程等等。我們期待ECLIPSE專案能夠順利推展，以增強我們提供先進氮化鎵磊晶片的能力。」

該合約的投標流程由National Security Technology Accelerator (NSTXL)以「其他交易協議」(OTA)的方式進行管理。

關於 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計和製造用於高壓功率轉換應用的高效能、高可靠性氮化鎵半導體。Transphorm擁有龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合，持有或取得授權的專利超過1000項，生產了業界首款符合JEDEC和AEC-Q101標準的高壓氮化鎵半導體元件。歸功於垂直整合的元件商業模式，公司能夠在包括設計、製造、元件和應用支援在內的每個開發階段進行創新。Transphorm的創新使功率電子產品超越了矽的限制，實現了99%以上的效率，將功率密度提高50%，並使系統成本降低20%。Transphorm總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪www.transphormusa.com。歡迎在Twitter @transphormusa以及微信@Transphorm_GaN關注我們。

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