日本川崎--(美國商業資訊)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)擴大了其採用最新一代製程製造的N溝道功率MOSFET產品線[1]，該產品採用適合資料中心、開關電源和太陽光電發電機功率調節器的600V超接合結構。新產品TK055U60Z1是DTMOSVI系列中的首款600V產品，自即日起開始出貨。
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透過最佳化閘極設計和製程，與具有相同漏源電壓額定值的Toshiba當前一代DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品單位面積漏源導通電阻降低約13%，MOSFET性能品質因數漏源導通電阻×閘漏電荷約降低52%，從而確保該系列同時實現低導通損耗和低開關損耗，有助於提高開關電源的效率。
新產品採用TOLL封裝，可實現其閘極驅動的信號源端子開爾文連接。封裝中源極線中電感的影響得以降低，從而增強MOSFET的高速開關性能，抑制開關期間的振盪。
Toshiba將繼續擴大其600V DTMOSVI系列產品陣容，及其已經發布的650V DTMOSVI系列產品，並透過降低開關電源的功率損耗來支持節能。
注：
[1] 截至2023年6月。
應用
· 資料中心（伺服器用開關電源等）
· 太陽光電發電機功率調節器
· 不斷電系統
特點
· 實現低漏源導通電阻×閘漏電荷，並實現高效率開關電源
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主要規格 |
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（除非另有說明，Ta=25°C） |
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零件編號 |
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絕對最大 額定值 |
漏源電壓VDSS (V) |
600 |
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漏極電流(DC) ID (A) |
40 |
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溝道溫度Tch (°C) |
150 |
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電氣特性 |
漏源導通電阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V |
最大值 |
55 |
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總閘極電荷Qg (nC) |
典型值 |
65 |
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閘極漏極電荷Qgd (nC) |
典型值 |
15 |
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輸入電容Ciss (pF) |
典型值 |
3680 |
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封裝 |
名稱 |
TOLL |
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尺寸(mm) |
典型值 |
9.9×11.68, t=2.3 |
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樣品檢查和供應情況 |
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TK055U60Z1
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公司在全球的2.15萬名員工共同致力於最大限度提高公司產品價值，不斷強化與客戶的密切合作，攜手創造價值，合作開發新市場。在目前近8000億日圓（61億美元）年銷售額的基礎上，Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待為全人類創造更美好的未來並做出相關貢獻。
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Toshiba：DTMOSVI系列的600V N溝道功率MOSFET TK055U60Z1。（圖片：美國商業資訊）
