日本川崎--(BUSINESS WIRE)--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱「Toshiba」）在其最新一代[1]採用超級結(super junction)結構的DTMOSVI 系列中增加了DTMOSVI(HSD)功率MOSFET。該功率MOSFET帶有高速二極體，適用於開關電源，包括資料中心和太陽能光電電源調節器。首批兩款產品「TK042N65Z5」和「TK095N65Z5」（採用TO-247封裝的650V N溝道功率MOSFET）即日起開始出貨。
新產品採用高速二極體，改善了對橋式電路和逆變電路應用非常重要的反向恢復[2]特性。相較於標準DTMOSVI，它們的反向恢復時間(trr)縮短了65%，反向恢復電荷(Qrr)減少了88%（測量條件：-dIDR /dt= 100A/μs）。
新產品採用的DTMOSVI(HSD)製程改進了Toshiba帶高速二極體的DTMOSIV系列(DTMOSIV(HSD))的反向恢復特性，在高溫條件下具有更低的漏極截止電流。「漏極-源極導通電阻×閘極-漏極電荷」的優點指標也更低。相較於Toshiba目前的TK62N60W5，TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90%[3]，漏極-源極導通電阻×閘極-漏極電荷降低了72%[4] [5]。這一進步將減少設備的功率損耗，有助於改善效率。相較於目前的TK62N60W5，TK042N65Z5的電源效率最大提高了約0.4%，這是在1.5kW LLC電路中測得的結果[6]。
採用TK095N65Z5的參考設計「1.6kW伺服器電源（升級版）」已於今日在Toshiba網站上推出。該公司還提供支援開關電源電路設計的工具。除了能在短時間內驗證電路功能的G0 SPICE模型外，該公司現在還提供能準確再現瞬態特性的高精確度G2 SPICE模型。
Toshiba計畫推出TO-220和TO-220SIS通孔封裝以及TOLL和DFN 8×8表面黏著封裝的元件，從而擴大DTMOSVI(HSD)產品陣容。
除了已推出的650V和600V產品和帶有高速二極體的新產品外，公司還將繼續擴大DTMOSVI系列的產品陣容。這將提高開關電源的效率，為節能設備貢獻力量。
註：
[1] 截至2024年2月22日，Toshiba調查。
[2] MOSFET本體二極體從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。
[3] Toshiba測量的值。新產品TK042N65Z5為0.2mA（測試條件：VDS =650V，VGS =0V，Ta =150°C。）
現有產品TK62N60W5為1.9mA（測試條件：VDS =600V，VGS =0V，Ta =150°C）。
[4] 600V DTMOSIV(HSD)系列
[5] Toshiba測量的值。
測試條件：
TK62N60W5
• RDS(ON) : ID =30.9A, VGS =10V, Ta =25°C
• Qgd : VDD =400V, VGS =10V, ID =61.8A, Ta =25°C
TK042N65Z5
• RDS(ON) : ID =27.5A, VGS =10V, Ta =25°C
• Qgd : VDD =400V, VGS =10V, ID =55A, Ta =25°C
[6] Toshiba測量的值。
測試條件：Vin =380V, Vout =54V, Ta ＝25°C
應用
工業設備
- 開關電源（資料中心伺服器、通訊設備等）
- 電動汽車充電站
- 太陽能光電發電機電源調節器
- 不斷電系統
功能特點
- 最新一代DTMOSVI系列中帶有高速二極體的MOSFET
-
由於高速二極體導致的反向恢復時間：
TK042N65Z5 trr =160ns（典型值）
TK095N65Z5 trr =115ns（典型值） -
由於低柵漏電荷導致的高速切換時間：
TK042N65Z5 Qgd =35nC（典型值）
TK095N65Z5 Qgd =17nC（典型值）
|
主要規格 |
|||||
|
（除非另有說明，否則 Ta =25°C） |
|||||
|
組件編號 |
|||||
|
封裝 |
名稱 |
TO-247 |
|||
|
尺寸(mm) |
典型值 |
15.94×20.95, t=5.02 |
|||
|
絕對 最大 額定值 |
漏源電壓VDSS (V) |
650 |
|||
|
漏極電流(DC) ID (A) |
55 |
29 |
|||
|
漏源導通電阻RDS(ON) (Ω) |
VGS =10 V |
最大 |
0.042 |
0.095 |
|
|
閘極總電荷Qg (nC) |
典型值 |
105 |
50 |
||
|
柵漏電荷Qgd (nC) |
典型值 |
35 |
17 |
||
|
輸入電容Ciss (pF) |
典型值 |
6280 |
2880 |
||
|
通道至外殼熱阻Rth(ch-c) (°C/W) |
最大 |
0.347 |
0.543 |
||
|
反向恢復時間 trr (ns) |
典型值 |
160 |
115 |
||
|
Toshiba當前系列(DTMOSIV)組件編號 |
TK62N60W5 [7] |
TK35N65W5, TK31N60W5 [7] |
|||
註：
[7] VDSS =600V
請點選以下連結瞭解有關新產品的更多資訊。
TK042N65Z5
TK095N65Z5
請點選以下連結瞭解有關Toshiba MOSFET的更多資訊。
MOSFET
* 公司名稱、產品名稱和服務名稱是其各自公司的商標。
* 本文件中的資訊（包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式）為發表之日的最新資訊，如有更改，恕不另行通知。
關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領導廠商，憑藉半個多世紀的經驗和創新，為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。
公司在全球的21,500名員工以促進產品價值最大化為己任，與客戶緊密合作，共同創造價值和開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation的年銷售額接近8000億日圓（61億美元），立志為全人類創造更加美好的未來。
如欲瞭解更多資訊，請造訪https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。
