加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，將在2024德國紐倫堡電力電子系統及元件展覽會（PCIM 2024）上展示其超越競爭對手的寬能隙技術。例如，與碳化矽相比，Transphorm的常關耗盡型SuperGaN^®平台具有更高的電子移動率，從而降低了交叉損耗，為各種電動車、資料中心/人工智慧、基礎設施、再生能源和其他廣泛的工業應用提供了更具成本效益、效能更高的解決方案。如需瞭解更多資訊，可在2024年6月11至13日的PCIM展會期間，蒞臨Transphorm位於7號展廳108展位進行面對面交流。

Transphorm SuperGaN場效電晶體正投產於廣泛的客戶產品，這些產品的功率範圍涵蓋從低功率的45瓦電源配接器到高功率的7.5千瓦電源裝置。 其中許多客戶產品是首批公開認可的基於氮化鎵的同類系統，展示了SuperGaN平台獨有的優勢。例如，如前所述的用於關鍵任務資料中心/區塊鏈應用的7.5千瓦液冷電源、功率密度大於82瓦/立方英吋的2.7千瓦伺服器CRPS電源（目前所有氮化鎵電源系統中最高），以及2.2千瓦和3千瓦機架式1U不間斷電源（UPS）。 這些設計的成功表明，Transphorm有能力推動氮化鎵進入各種應用市場，預計到2028年，氮化鎵的整體潛在市場（TAM）將達到80億美元。

除了實際的客戶產品外，Transphorm繼續引領技術成果，最近展示了5微秒短路耐受時間、雙向四象限開關和1200伏藍寶石氮化鎵裝置。

現場演示將包括用於兩輪和三輪電動車充電器的Transphorm解決方案，以及適用於再生能源系統、資料中心等的電源裝置。

演講活動

歡迎蒞臨展會的Bodo’s Power Systems部分，瞭解更多關於Transphorm氮化鎵解決方案如何在技術上超越競爭對手，並實現跨產業創新的更多資訊。

小組討論：氮化鎵寬能隙設計——電力的未來
主講人： Philip Zuk，商務拓展與行銷高級副總裁
日期：6月12日
時間：當地時間下午2:20 – 3:20
地點：7號展廳743展位

一個核心平台，覆蓋功率頻譜

Transphorm是領先的氮化鎵功率半導體公司，其技術的與眾不同之處在於：

可製造性：涵蓋EPI設計、晶圓製程和場效電晶體芯設計的垂直整合。
可設計性：提供知名的業界標準封裝和高效能封裝，同時與全球客戶合作，實現更簡單、更快速的系統開發。
可驅動性：提供與矽同等的可驅動器件，並可與成品控制器和驅動器配對，同時只需極少的外部電路。
可靠性：在從低功率到高功率的應用中，經過超過3,000億小時的現場運行，目前的失效率小於0.05，仍處於行業領先地位。

線下交流

如需在展會期間與Transphorm安排會面，請聯繫vipin.bothra@transphormusa.com。

關於 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新，包括設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，實現了超過99%的效率，並將功率密度提高50%，將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於美國加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請造訪：www.transphormusa.com歡迎關注Twitter：@transphormusa以及微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵。

SuperGaN 標誌是 Transphorm, Inc. 的註冊商標。所有其他商標是其各自所有者的財產。

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