简体中文 | 繁體中文 | English

S/Shinetsu

Shin-Etsu Chemical將開發用於300毫米GaN的QSTTM基板

2024-09-06 18:22
  • zh_cn
  • zh_hant
  • en

東京--(美國商業資訊)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)(總部:東京;總裁:Yasuhiko Saitoh;以下簡稱「Shin-Etsu Chemical」)建立了專門用於氮化鎵(GaN)外延生長的300毫米(12英寸)QSTTM基板,並於最近開始供應樣品。

Shin-Etsu Chemical已經在出售150毫米(6英寸)和200毫米(8英寸)QSTTM基板以及這兩種直徑的GaN on QSTTM外延基板。與此同時,該公司致力於進一步增加直徑以回應客戶的強勁需求,並成功開發了300毫米(12英寸)QSTTM基板。儘管可以為GaN使用現有的矽生產線,但由於缺乏適合GaN生長的大直徑基板,GaN元件製造商無法從增加材料直徑中受惠。這款300毫米QSTTM基板使GaN外延生長不會翹曲或開裂,在矽基板上則無法做到這一點,這就顯著降低了元件成本。Shin-Etsu Chemical正在著手強化150毫米和200毫米QSTTM基板的生產設施,此外還將致力於300毫米QSTTM基板的批量生產。

由於QSTTM基板具有與GaN相同的熱膨脹係數,因此可以限制SEMI標準厚度的QSTTM基板上GaN外延層的翹曲和裂紋。這種基板材料可實現高品質、大直徑的厚GaN外延生長。許多客戶正在利用此功能評估用於功率元件、高頻元件和LED的QSTTM基板和GaN on QSTTM外延基板。儘管商業環境充滿挑戰,但客戶已進入著眼于實用性的開發階段,以因應最近對功率元件(包括資料中心電源)與日俱增的興趣。

在150毫米和200毫米系列以外新增300毫米QSTTM基板可以顯著加快GaN元件的普及。Shin-Etsu Chemical致力於透過GaN元件的社會實施,為實現能源可以得到有效利用的永續發展社會貢獻力量。

請注意,該公司計畫在2024年9月4日至6日於臺灣臺北舉行的臺灣國際半導體展上展出這款300毫米QSTTM基板。

*1: QSTTM基板是由Qromis(美國加州,執行長:Cem Basceri)開發的專用於GaN生長的複合材料,於2019年授權給Shin-Etsu Chemical。QSTTM是Qromis的美國商標(註冊號:5277631)。

免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

請前往 businesswire.com 瀏覽源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20240904485107/zh-HK/

CONTACT:

有關本文事宜的查詢,請聯絡:
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
公共關係部
Tetsuya Koishikawa
電話:03-6812-2340,或日本以外:81-3-6812-2340
傳真:03-6812-2341,或日本以外:81-3-6812-2341
電子郵件:sec-pr@shinetsu.jp
www.shinetsu.co.jp

分享到: