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Toshiba 2019

Toshiba第三代碳化矽肖特基柵極二極體產品系列增添1200 V新成員,將推動工業電源設備實現高效率

2024-09-25 18:08
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日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation(「Toshiba」)已在第三代碳化矽(SiC)肖特基柵極二極體(SBD)產品線中增添「TRSxxx120Hx系列」1200 V產品,應用於光伏逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備。Toshiba現已開始提供該系列的十款新產品,其中包括採用TO-247-2L封裝的五款產品和採用TO-247封裝的五款產品。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20240924982521/zh-HK/

最新TRSxxx120Hx系列為1200 V產品,它採用Toshiba第3代650 V SiC SBD的改進型接面柵極肖特基(JBS)結構 [1]。在接面柵極中使用新型金屬,有助於這些新產品實現前沿的[2]1.27 V(典型值)低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

Toshiba將繼續壯大其SiC電源器件的產品線,並將一如既往地專注於提高效率,降低工業電源設備功耗。

備註:
[1]改進型JBS結構:該結構將混合式PiN肖特基(MPS)結構整合在JBS結構中,MPS可在大電流下降低正向電壓,而JBS不僅可降低肖特基介面的電場,還可減少電流洩漏。
[2] 在1200 V SiC SBD中。截至2024年9月的Toshiba調查。

應用

  • 光伏逆變器
  • 電動汽車充電站
  • 用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統(UPS)

功能

  • 第3代1200 V SiC SBD
  • 前沿的[2]低正向電壓:V F =1.27V(典型值)(I F =I F(DC) )
  • 低總電容電荷:TRS20H120H 的Q C =109nC(典型值)(V R =800V,f=1MHz)
  • 低反向電流:TRS20H120H的I R =2.0μA(典型值)(V R =1200V)

主要規格

 

(除非另有說明,否則T a =25°C)

器件型號

封裝

絕對最大額定值

電氣特性

樣品查看與

供貨情況

重複峰值反向

電壓

V RRM

(V)

正向

直流

電流

I F(DC)

(A)

非重複

峰值正向

浪湧電流

I FSM

(A)

正向電壓

(脈衝測量)

V F

(V)

反向電流

(脈衝測量)

I R

(μA)

總電容電荷

Q C

(nC)

 

溫度條件

T c

(°C)

f=50Hz

(半正弦波,t=10ms),

T c =25°C

I F =I F(DC)

V R =1200V

V R =800V, f=1MHz

典型值

典型值

典型值

TRS10H120H

TO-247-2L

1200

10

160

80

1.27

1.0

61

線上購買

TRS15H120H

15

157

110

1.4

89

線上購買

TRS20H120H

20

155

140

2.0

109

線上購買

TRS30H120H

30

150

210

2.8

162

線上購買

TRS40H120H

40

147

270

3.6

220

線上購買

TRS10N120HB

TO-247

5(每個引腳)

10(兩個引腳)

160

40(每個引腳)

80(兩個引腳)

1.27

(每個引腳)

0.5

(每個引腳)

30

(每個引腳)

線上購買

TRS15N120HB

7.5(每個引腳)

15(兩個引腳)

157

55(每個引腳)

110(兩個引腳)

0.7

(每個引腳)

43

(每個引腳)

線上購買

TRS20N120HB

10(每個引腳)

20(兩個引腳)

155

70(每個引腳)

140(兩個引腳)

1.0

(每個引腳)

57

(每個引腳)

線上購買

TRS30N120HB

15(每個引腳)

30(兩個引腳)

150

105(每個引腳)

210(兩個引腳)

1.4

(每個引腳)

80

(每個引腳)

線上購買

TRS40N120HB

20(每個引腳)

40(兩個引腳)

147

135(每個引腳)

270(兩個引腳)

1.8

(每個引腳)

108

(每個引腳)

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* 本文件中的產品價格和規格、服務內容和聯絡方式等資訊,在公告之日為最新資訊,但如有變更,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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免責聲明:本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用,煩請參照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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數位行銷部
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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Toshiba:1200V第三代SiC肖特基柵極二極體。(圖片:美國商業資訊)

Toshiba:1200V第三代SiC肖特基柵極二極體。(圖片:美國商業資訊)

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