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Toshiba開始提供具有低導通電阻和高可靠性、用於汽車牽引逆變器的裸片1200V SiC MOSFET的試樣

2024-11-13 18:06
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日本川崎--(美國商業資訊)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)開發了「X5M007E120」,這是一款用於汽車牽引逆變器[2]的裸片[1]1200V碳化矽(SiC) MOSFET,其採用的創新結構可以同時提供低導通電阻和高可靠性。供客戶評估的測試樣品現已出貨。

本新聞稿包含多媒體資訊。完整新聞稿請見此: https://www.businesswire.com/news/home/20241111501116/zh-HK/

反向導通操作期間[4],當本體二極體雙極通電[3]時,普通SiC MOSFET的可靠性會因導通電阻增加而降低。Toshiba SiC MOSFET透過一種元件結構來緩解這個問題,該元件結構將蕭特基勢壘二極體(SBD)內建MOSFET以使本體二極體失活,但將SBD置於晶片上會減少決定MOSFET導通電阻的通道的可用面積,並增加晶片的導通電阻。

X5M007E120中內建的SBD以方格圖案排列,而不是通常使用的條紋圖案,這種排列可有效抑制元件本體二極體的雙極通電,同時將單極操作的上限提高到電流面積的大約兩倍,即使佔用相同的SBD安裝面積也是如此[5]。相較條紋陣列,通道密度也有所提高,且單位面積的導通電阻較低,可降低約20%至30%[5]。效能的改進和低導通電阻,加上同時能夠保持對反向導通操作的可靠性,將節省用於馬達控制的逆變器(如汽車牽引逆變器)的能耗。

降低SiC MOSFET中的導通電阻會導致短路期間流過MOSFET的電流過大[6],從而降低短路耐久性。強化內建式SBD的導通以提高反向導通操作的可靠性也會增加短路期間的電流洩漏,從而再次降低短路耐久性。新的裸片具有較深的屏障結構[7],可在短路狀態下抑制MOSFET中的過電流和SBD中的漏電流,從而提高其耐用性,同時保持對反向導通操作的出色可靠性。

使用者可以對裸片進行客製化以滿足其特定的設計需求,並實現針對其應用的解決方案。

Toshiba可望於2025年提供X5M007E120的工程樣品,並於2026年開始量產。同時,它將探索如何進一步改進元件特性。

Toshiba將為客戶提供更易用、更高效能的功率半導體,應用於能源效率至關重要的領域,例如用於馬達控制的逆變器和電動汽車的功率控制系統,從而為實現脫碳社會貢獻力量。

注:
[1] 未封裝的晶片產品。
[2] 將電池供電的直流電轉換為交流電並控制電動汽車(EV)或混合動力汽車(HEV)中馬達的裝置。
[3] 當正向電壓施加到漏極和源極之間的pn二極體時的雙極操作。
[4] 由於電路中的電流回流,電流從源極流向MOSFET漏極的操作。
[5] 相較使用條紋圖案的Toshiba產品。
[6] 相較正常開關操作期間的短時導通,在控制電路故障等異常模式下發生長期導通的現象。需要堅固耐用,且在短路操作一定時間內不會失效。
[7] 元件結構的一個元件,用於控制由於高電壓引起的高電場。它會顯著影響元件的效能。

應用

  • 汽車牽引逆變器

特性

  • 低導通電阻和高可靠性
  • 用於汽車的裸片
  • 符合AEC-Q100標準
  • 漏源電壓額定值:VDSS=1200V
  • 漏極電流(DC)額定值:ID=(229)A[8]
  • 低導通電阻:
    RDS(ON)=7.2mΩ(典型值)(VGS=+18V, Ta=25°C)
    RDS(ON)=12.1mΩ(典型值)(VGS=+18V, Ta=175°C)


[8] 暫定值

主要規格

(Ta=25°C,除非另有說明)

零件編號

X5M007E120

封裝

Toshiba封裝名稱

2-7Q1A

尺寸(mm)

典型值

6.0×7.0

絕對

最大

額定值

漏源電壓VDSS (V)

1200

閘極-源極電壓VGSS (V)

+25/-10

漏極電流(DC) ID (A)

(229)[8]

漏極電流(脈衝)ID Pulse (A)

(458)[8]

通道溫度Tch (°C)

175

電氣

特性

閘極閾值電壓

Vth (V)

VDS =10V,

ID =16.8mA

典型值

4.0

漏源

導通電阻

RDS(on) (mΩ)

ID =50A,

VGS =+18V

典型值

7.2

ID =50A,

VGS =+18V,

Ta =175°C

典型值

12.1

正向電壓

VSD (V)

ISD =50A,

VGS =-5V

典型值

-1.21

正向電壓

VSD (V)

ISD =50A,

VGS =-5V,

Ta =175°C

典型值

-1.40

內部閘極電阻

rg (Ω)

漏極開路,

f=1MHz

典型值

3.0

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Toshiba開始提供具有低導通電阻和高可靠性、用於汽車牽引逆變器的裸片1200V SiC MOSFET的試樣

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SiC功率元件

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* 本文件中的資訊(包括產品價格和規格、服務內容和聯絡方式)為公告發表之日的最新資訊,但如有更改,恕不另行通知。

關於Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先進半導體和儲存解決方案的領先供應商,憑藉半個多世紀的經驗和創新,為客戶和業務合作夥伴提供卓越的分立半導體、系統LSI和HDD產品。

公司在全球的19,400名員工致力於充分提高產品價值,並促進與客戶的密切合作,共同創造價值和開拓新市場。公司期待為世界各地的人們建設更美好的未來並貢獻力量。

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Toshiba:X5M007E120是一款用於汽車牽引逆變器的裸片1200V碳化矽(SiC) MOSFET,其採用的創新結構可以同時提供低導通電阻和高可靠性。(圖片:美國商業資訊)

Toshiba:X5M007E120是一款用於汽車牽引逆變器的裸片1200V碳化矽(SiC) MOSFET,其採用的創新結構可以同時提供低導通電阻和高可靠性。(圖片:美國商業資訊)

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