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Alchimer增强的eG ViaCoat工艺实现高达80%的TSV铜晶种拥有成本节省

2009-06-15 09:00
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改进的工艺能够方便地在多数符合行业标准的湿镀工具上使用,从而在资本开支和设备折旧方面获得巨大节省

美国商业资讯法国Massy消息——

Alchimer S.A.是为半导体相关的纳米镀层沉积提供创新性化学配方和工艺的领先开发商。公司今日宣布其新改进的eG ViaCoat工艺可为客户提供高达80%的成本节省(与干式真空工艺相比)。实现成本节省的一个重要原因是此工艺能够使用已有的电镀设备,从而避免巨大的资本投资和设备折旧成本。

Alchimer的eG ViaCoat是个湿沉积工艺,用于硅通孔(TSV)的铜晶种金属化。这在先进的三维封装应用中被用于创造互连。与其深度相比,这些结构通常非常狭窄,这一巨大的宽高比给统一薄膜的沉积带来许多挑战。

eG ViaCoat工艺使用液体化学品沉积这些薄膜,其质量水平达到甚至超过标准的行业质量指标。除了具备许多工艺优势,这一湿化学法还使得eG ViaCoat也可以用在旧型电镀设备上,而无需翻新或修改。

Alchimer公司首席执行官Steve Lerner说:“这些改进意味着已有设备的使用寿命得到延长,是我们已经实施的逐步减少成本计划的重要一步。我们希望帮助客户适应当前的经济形势而又无需降低工艺质量和完整性。对于任何新工艺而言,资本设备的折旧是总体拥有成本的一大组成部分,这个新的发展可大幅减少或消除这个成本结构因素。”

在之前使技术成功适应已有工具的基础上,Alchimer研究人员正在为相关干式工艺开发其他替代选择,预计在不久将来提供额外的成本节省和工艺改进,包括替代隔绝和阻挡层所使用的干式工艺。

通过替换典型的干式工艺(例如用于铜晶种沉积的PVD、CVD和ALD工艺),芯片制造商能够在折旧镀层设备方面节省近80%的拥有成本。为了支持三维封装的进步和新兴的TSV市场,Alchimer还增加现场人员以支持客户转让与这些新改进相关的知识产权。

三维应用包括堆栈存储器和逻辑阵列以及MEMS/IC结合。它们的高密度通孔要求将极大获益于eG ViaCoat工艺,该工艺可改进阶梯覆盖率、正形性、附着性和其他特征并减少成本。

关于Alchimer S.A.

Alchimer针对纳米薄膜电化学沉积开发和营销创新性化学配方、工艺和知识产权,以提供半导体晶圆的铜互连和三维封装的硅通孔。公司突破性技术Electrografting (eG™)是个电化学工艺,能够在导体和半导体表面上实施各种类型极薄的镀层。Alchimer总部在法国Massy,是从Commissariat à l’Energie Atomique(CEA,法国原子能总署)分拆出来的。创立于2001年,公司赢得法国研发和产业局(French Minister of Research and Industry )颁发的国家首奖(First National Award), 并且被评为欧洲前100大具前瞻性公司(Red Herring Top 100 European Company)。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式:

SangSok (s.s.) Lee
Lenix Technology Inc.
韩国
电话:+82-31-919-5561
sslee@lenix.co.kr

Kathy Cook
Alchimer
业务开发总监
电话:+1 214 649 6153
kathy.cook@alchimer.com

Sarah-Lyle Dampoux
Loomis Group
电话:+33 1 58 18 59 30
dampouxs@loomisgroup.com

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