工程师在VLSI 2009上介绍继续缩小HKMG晶体管尺寸的新技术

美国商业资讯加利福尼亚州桑尼维尔和日本东京消息——

GLOBALFOUNDRIES今天介绍了一种创新技术，该技术可以克服推进高 k金属栅（HKMG）晶体管的一个主要障碍，从而将该行业向具有更强计算能力和大大延长的电池使用寿命的下一代移动设备推进了一步。

众所周知，半导体行业一直致力于克服似乎难以逾越的困难，以延续更小、更快、更节能的产品趋势。研究是通过GLOBALFOUNDRIES参与IBM技术联盟来与IBM合作的形式进行的，旨在继续将半导体元件的尺寸缩小到22纳米节点及更小尺寸。

在2009年于日本京都举行的VLSI技术研讨会上，GLOBALFOUNDRIES首次展示了可使高k金属栅（HKMG）晶体管的等效氧化层厚度（EOT）缩小到远远小于22纳米节点所需水平，同时保持了低漏电、低阈值电压和优越的载流子迁移率等优点的技术。

GLOBALFOUNDRIES技术与研发高级副总裁Gregg Bartlett说：“HKMG是GLOBALFOUNDRIES技术路线图的关键组成部分。这种进展可能最终为客户提供另一种提高其产品性能的工具，尤其是在快速增长的具有长电池寿命的超便携笔记本电脑和智能手机市场。通过与IBM及联盟伙伴的合作，我们利用我们的全球知识库开发先进的技术，帮助我们的客户处于半导体制造的前沿。”

为了保持HKMG晶体管的开关精度，必须减少高k氧化层的等效氧化层厚度。然而，减少EOT会增加泄漏电流，从而增加微芯片的功耗。GLOBALFOUNDRIES和IBM已经开发出一种可克服这一障碍的新技术，首次展示了将EOT缩小到远远低于22纳米节点，同时保持所需的漏电流、阈值电压和载流子迁移率是可以实现的。通过使用0.55nm的EOT制造n-MOSFET器件和0.7nm的EOT制造p-MOSFET期间，结果得到了成功的展示。

关于GLOBALFOUNDRIES

GLOBALFOUNDRIES公司是世界第一家真正的全球性尖端半导体制造企业。GLOBALFOUNDRIE公司由AMD(纽约证券交易所：AMD)和先进技术投资公司(ATIC)于2009年3月合作成立，公司提供尖端技术、卓越制造和全球经营的独特结合。GLOBALFOUNDRIES公司总部设在硅谷，并在奥斯汀、德累斯顿和纽约设厂。

欲了解更多关于GLOBALFOUNDRIES公司的信息，请访问www.globalfoundries.com。

警告声明

本新闻稿涉及依据《美国1995年私有证券改革法案》“安全港”规定做所的前瞻性陈述，包括但不限于公司当前预期、假设、评估、期望、目标、计划、希望、信念、意图及未来策略等的相关陈述。因此这些前瞻性陈述存在风险和不确定性，可能导致实际结果与陈述产生极大不同。造成这些风险和不确定性的部分因素包括美国和全球的经济状况；开发新客户的困难；半导体/晶片制造业整体的供需前景；潜在客户群的获取策略；竞争者行为；公司技术联盟成败；额外制造设施的建设情况及相关的政府流程；部件和设备的供应情况；各制造设施的劳工和雇佣问题；技术及工艺逐步发展；及不可预见事项。公司没有义务依据新的信息或事件对本新闻稿中的前瞻性陈述做任何更新。

免责声明：本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用，烦请参照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式：

GLOBALFOUNDRIES
Jason Gorss, 518-899-2179
公关部
jason.gorss@globalfoundries.com