两家公司利用获奖的34纳米NAND工艺，实现了32Gb存储密度
美国商业资讯加州圣克拉拉，爱达荷州博伊西消息--
英特尔公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.，纽约证券交易所：MU）今天宣布，双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（MLC）NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备，在这类应用场合中，高密度和性价比是首要考虑的问题。
双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies公司（IMFT）开发了3bpc NAND新技术，并利用这项技术生产出了目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb芯片。32Gb 3bpc NAND芯片面积为126mm²，将于2009年第四季度投入量产。两家公司不断致力于新的工艺微缩（process shrink）研发，现在推出的3bpc NAND技术是其产品战略的重要组成部分，也是为关键细分市场服务的有效途径。
美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说，"我们把3bpc NAND技术看作路线图的重要组成部分。我们也会继续推进NAND工艺微缩的研发，从而在今后若干年为客户提供世界一流的产品组合。今天发布的消息进一步表明，美光和英特尔在34纳米NAND技术方面已经取得了重大的进展。我们盼望今年晚些时候推出2xnm技术。"
英特尔公司副总裁、英特尔NAND解决方案事业部总经理Randy Wilhelm说，"我们走向3bpc技术，这是英特尔和美光在34纳米NAND开发过程中取得突出进展的又一个证明。这一里程碑为我们在2xnm硅加工工艺方面保持领先地位奠定了基础，而这种2xnm工艺将有助于为客户节省成本，拓展我们NAND解决方案的功能。"
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