- 精确度从DC至毫米波且采用单模型 -

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)今天宣布开发精确度从DC（直流）至毫米波(60 GHz)的紧凑型MOS可变电抗器¹模拟模型。新模型由东芝和冈山县立大学(Okayama Prefectural University)的Nobuyuki Itoh教授共同研制。

新的紧凑型MOS可变电抗器模型引入原始算法来表达尺度效应，并可捕捉到支配60 GHz范围的寄生效应的影响。针对元件大小不同的样品，使用了1 MHz - 60 GHz的测量参数进行建模。一般而言，很难通过单模型来表示MOS可变电抗器，但是新开发的模型却成功做到了这一点。

新模型能够准确捕捉到寄生效应，这就为实现RF-CMOS产品的低功耗提供了支持。东芝将利用基础技术来开发此类芯片，而这些芯片是该公司模拟与成像集成电路部门的主要器件。得益于目前已取得的成效，东芝预计将来可精确地对CMOS毫米波电路进行模拟。

通过自身的65 nm RF-CMOS技术，东芝已经打造出了元件长度从0.26 um至2.0 um不等的样品，并使用这些样品对新模型进行了验证。所有尺寸的元件均取得了DC至67 GHz的精确度。

该模型的验证工作是在60 GHz电路上完成的。东芝使用这种用于调频组件的模型对60 GHz VCO控制电压上的相位噪声水平依赖性进行了测量，并与电路模拟进行了比较。结果显示，测量精度达8 dB，优于传统模型²。

这些研发成果在12月4-7日在台湾举行的亚太微波会议(Asia-Pacific Microwave Conference)上进行了展示。

1. MOS（金属氧化物半导体）可变电抗器是一种平面元件，历来都使用CMOS技术制造。通常来说，该元件广泛用于CMOS VCO（压控振荡器）电路的调频组件。

2. BSIM（伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型）是通常用于模拟MOS可变电抗器的传统模型。该模型由加州大学伯克利分校开发。

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东芝与冈山县立大学共同开发出一种可精确至毫米波的紧凑型MOS可变电抗器模型。（图片：美国商业资讯）