最新系列中添加了"DPAK+"封装产品,适用于高速开关应用
东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)推出了一种低导通电阻、低漏电功率MOSFET。该产品采用最新的沟槽MOS工艺打造,成为汽车应用专用MOSFET系列中的新成员。新产品"TK100S04N1L"的导通电阻较低,综合采用了最新的第八代沟槽MOS工艺"U-MOS VIII-H系列"芯片以及利用铜连接器的"DPAK+"封装。该产品主要适用于汽车应用,尤其是电机驱动器和开关稳压器等需要高速开关的汽车应用。该产品现已推出样品,并计划于2013年3月投入量产。
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极性 |
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产品型号 |
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漏极到源极电压 |
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漏极电流 |
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系列 |
通道号 |
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TK100S04N1L |
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40 |
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100 |
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U-MOS VIII-H |
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主要特性 |
1. 低导通电阻: RDS(ON) = 1.9mΩ (标准值) (VGS=10V) |
2. 低漏电电流: IDSS=10μA (最大值) (VDS=额定电压) |
3. "DPAK+" 封装,通过利用铜连接器实现低导通电阻. |
4. 通道温度 = 175°C 保证工作温度 |
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*通过下述链接了解有关该产品的更多信息:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268084_2470.html
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关于东芝
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东芝为汽车应用推出采用"DPAK+"封装的低导通电阻功率MOSFET(照片:美国商业资讯)