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东芝推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品

-采用尖端的15纳米工艺NAND闪存芯片-

2014-10-10 10:42
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东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的eMMCTM[2]标准,适用于各种广泛的数字消费产品,包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动,8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。

 

新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片,以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。

 

与同类东芝产品相比[4],通过采用15纳米NAND芯片,封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能,优化了控制器,这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%(最大值),而写入速度提高将近20%(最大值)。

 

市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求,因为此类内存的开发要求最低,且易于整合到系统设计中。东芝正通过增强其高性能和高密度内存产品阵容来满足这种需求,并将继续占据市场领导地位。

 

新产品阵容

产品名称

 

容量

 

类别

 

封装

 

量产

 

THGBMFG6C1LBAIL

 

 

8GB

 

 

顶级

 

 

1.5x13x0.8mm

 

 

2015第二季度(4月-6月)

 

THGBMFG6C1LBAIT

 

 

8GB

 

 

顶级

 

 

11x10x0.8mm

 

 

2015第二季度(4月-6月)

 

THGBMFG7C2LBAIL

 

 

16GB

 

 

顶级

 

 

11.5x13x0.8mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG7C2LBAIW

 

 

16GB

 

 

顶级

 

 

11x10x1.0mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG7C1LBAIL

 

 

16GB

 

 

高端

 

 

11.5x13x0.8mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG8C4LBAIR

 

 

32GB

 

 

顶级

 

 

11.5x13x1.0mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG8C4LBAIW

 

 

32GB

 

 

顶级

 

 

11x10x1.0mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG8C2LBAIL

 

 

32GB

 

 

高端

 

 

11.5x13x0.8mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG9C8LBAIG

 

 

64GB

 

 

顶级

 

 

11.5x13x1.2mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG9C8LBAIX

 

 

64GB

 

 

顶级

 

 

11x10x1.2mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFG9C4LBAIR

 

 

64GB

 

 

高端

 

 

11.5x13x1.0mm

 

 

2015第一季度(1月-3月)

 

THGBMFT0CBLBAIS

 

 

128GB

 

 

顶级

 

 

11.5x13x1.4mm

 

 

2015第二季度(4月-6月)

 

*在东芝的e∙MMCTM类别中,“顶级”(Supreme)代表适用于高端应用的产品,“高端”(Premium)代表适用于中低级别应用的产品。

 

主要特性

 

  1. 符合JEDEC e∙MMCTM标准的接口可处理基本功能,包括写入块管理、纠错和驱动器软件。该接口简化了系统开发,使制造商能够将开发成本降至最低,缩短新产品和升级产品的上市时间。此外,包括BKOPS控制、缓存屏障、缓存刷新报告和大型RPMB写入在内的新特性[5]也应用于新产品,以改善易用性。

 

  1. 8GB到64GB产品采用尺寸仅为11mm x 10mm的小型FBGA封装,适用于具有小型化和轻量化要求的智能手机、平板电脑和可穿戴设备。

 

  1. 嵌入系统中的128GB产品可记录长达16.3小时的全规格高清视频,或39.7小时的标清视频[6]

 

主要规格

 

接口

 

JEDEC e∙MMCTM V5.0标准

HS-MMC接口

 

容量

 

 

8GB、16GB、32GB、64GB、128GB

 

电源

 

 

2.7-3.6V      

 

 

(内存核心)

 

电压

 

 

1.7V-1.95V, 2.7V-3.6V

 

 

(接口)

 

总线宽度

 

 

x1、 x4、 x8

 

温度范围

 

 

-25oC至 +85oC

 

封装

 

 

153Ball FBGA

11.5mm x 13.0mm、11.0mm x 10.0mm

 

 

注释

[1]

 

截至2014年10月2日。东芝调查。不包括128GB产品。

 

[2]

 

 

e•MMCTM是适用于一种根据JEDEC e•MMCTM标准规范制造的嵌入式内存产品的产品类别,且是JEDEC固态技术协会的商标。

 

[3]

 

 

不包括128GB产品。

 

[4]

 

 

采用19纳米第二代工艺技术的高速级别e•MMCTM嵌入式内存产品。

 

[5]

 

 

“BKOPS控制”是主机允许设备在闲置期间进行后台操作的功能。“缓存屏障”功能可控制缓存数据何时写入内存芯片。“缓存刷新报告”功能用于告知主机设备的刷新政策是否为FIFO(先入先出)。“大型RPMB写入”功能可将能够写入RPMB区域的数据量扩大到8kB。

 

[6]

 

 

HD(高清)和SD(标清)分别以17Mbps和7Mbps的比特率均值来计算。

 

*产品基于产品内置的内存芯片进行标记,而不是终端用户的数据存储可用内存容量。部分内存留作记忆卡功能。请查阅数据表或咨询当地的东芝销售代表。
(就本文的内存容量测定方式而言,1GB = 1,073,741,824字节。)
*读写速度计算方式为1MB/s = 1,000,000字节/秒。

 

客户垂询:
内存营销部
电话:+81-3-3457-3126

 

本新闻稿中的信息,包括产品价格和规格、服务内容以及联系信息仅反映截至本新闻稿发布之日的情况,如有变动,恕不另行通知。

 

关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于五个战略业务领域:能源与基础设施、社区解决方案、医疗保健系统与服务、电子设备与组件,以及生活方式产品与服务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝以“通过创造力和创新实现增长”为目标来推动全球业务,并致力于让全球各地的人们生活在一个安全、有保障和舒适的社会中。

 

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着590多家附属公司的环球企业,全球拥有超过200,000名员工,年销售额逾6.5万亿日元(630亿美元)。
更多信息请访问东芝网站:www.toshiba.co.jp/index.htm

 

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免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

 

联系方式:

 

媒体垂询:
东芝公司
半导体&存储产品公司
Koji Takahata, +81-3-3457-4963
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

 

东芝:全球最小级别e-MMC(TM)嵌入式NAND闪存产品(照片:美国商业资讯)

东芝:全球最小级别e-MMC(TM)嵌入式NAND闪存产品(照片:美国商业资讯)

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