东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布推出全球最小级别 [1]嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合最新的e∙MMCTM[2]标准,适用于各种广泛的数字消费产品,包括智能手机、平板电脑和可穿戴设备。16GB产品样品出货即日启动,8GB、32GB、64GB和128GB产品将稍后出货。
新产品在单一封装内整合了采用东芝新一代先进的15纳米工艺技术制造的NAND芯片,以及用于管理NAND应用基本控制功能的控制器。
与同类东芝产品相比[4],通过采用15纳米NAND芯片,封装面积缩小了约26%[3]。由于改进了基本芯片性能,优化了控制器,这些产品还提供更快的读/写速度。读取速度提高约8%(最大值),而写入速度提高将近20%(最大值)。
市场对于能够支持智能手机、平板电脑等应用的NAND闪存的需求继续增长。带控制器的嵌入式内存尤其供不应求,因为此类内存的开发要求最低,且易于整合到系统设计中。东芝正通过增强其高性能和高密度内存产品阵容来满足这种需求,并将继续占据市场领导地位。
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新产品阵容 |
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产品名称 |
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容量 |
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类别 |
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封装 |
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量产 |
THGBMFG6C1LBAIL |
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8GB |
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顶级 |
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1.5x13x0.8mm |
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2015第二季度(4月-6月) |
THGBMFG6C1LBAIT |
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8GB |
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顶级 |
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11x10x0.8mm |
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2015第二季度(4月-6月) |
THGBMFG7C2LBAIL |
16GB |
顶级 |
11.5x13x0.8mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG7C2LBAIW |
16GB |
顶级 |
11x10x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG7C1LBAIL |
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16GB |
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高端 |
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11.5x13x0.8mm |
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2015第一季度(1月-3月) |
THGBMFG8C4LBAIR |
32GB |
顶级 |
11.5x13x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG8C4LBAIW |
32GB |
顶级 |
11x10x1.0mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG8C2LBAIL |
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32GB |
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高端 |
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11.5x13x0.8mm |
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2015第一季度(1月-3月) |
THGBMFG9C8LBAIG |
64GB |
顶级 |
11.5x13x1.2mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG9C8LBAIX |
64GB |
顶级 |
11x10x1.2mm |
2015第一季度(1月-3月) |
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THGBMFG9C4LBAIR |
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64GB |
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高端 |
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11.5x13x1.0mm |
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2015第一季度(1月-3月) |
THGBMFT0CBLBAIS |
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128GB |
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顶级 |
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11.5x13x1.4mm |
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2015第二季度(4月-6月) |
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*在东芝的e∙MMCTM类别中,“顶级”(Supreme)代表适用于高端应用的产品,“高端”(Premium)代表适用于中低级别应用的产品。
主要特性
- 符合JEDEC e∙MMCTM标准的接口可处理基本功能,包括写入块管理、纠错和驱动器软件。该接口简化了系统开发,使制造商能够将开发成本降至最低,缩短新产品和升级产品的上市时间。此外,包括BKOPS控制、缓存屏障、缓存刷新报告和大型RPMB写入在内的新特性[5]也应用于新产品,以改善易用性。
- 8GB到64GB产品采用尺寸仅为11mm x 10mm的小型FBGA封装,适用于具有小型化和轻量化要求的智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
- 嵌入系统中的128GB产品可记录长达16.3小时的全规格高清视频,或39.7小时的标清视频[6]。
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主要规格
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接口 |
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JEDEC e∙MMCTM V5.0标准 HS-MMC接口 |
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容量 |
8GB、16GB、32GB、64GB、128GB |
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电源 |
2.7-3.6V |
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(内存核心) |
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电压 |
1.7V-1.95V, 2.7V-3.6V |
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(接口) |
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总线宽度 |
x1、 x4、 x8 |
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温度范围 |
-25oC至 +85oC |
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封装 |
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153Ball FBGA 11.5mm x 13.0mm、11.0mm x 10.0mm |
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注释 |
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[1] |
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截至2014年10月2日。东芝调查。不包括128GB产品。 |
[2] |
e•MMCTM是适用于一种根据JEDEC e•MMCTM标准规范制造的嵌入式内存产品的产品类别,且是JEDEC固态技术协会的商标。 |
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[3] |
不包括128GB产品。 |
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[4] |
采用19纳米第二代工艺技术的高速级别e•MMCTM嵌入式内存产品。 |
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[5] |
“BKOPS控制”是主机允许设备在闲置期间进行后台操作的功能。“缓存屏障”功能可控制缓存数据何时写入内存芯片。“缓存刷新报告”功能用于告知主机设备的刷新政策是否为FIFO(先入先出)。“大型RPMB写入”功能可将能够写入RPMB区域的数据量扩大到8kB。 |
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[6] |
HD(高清)和SD(标清)分别以17Mbps和7Mbps的比特率均值来计算。 |
*产品基于产品内置的内存芯片进行标记,而不是终端用户的数据存储可用内存容量。部分内存留作记忆卡功能。请查阅数据表或咨询当地的东芝销售代表。
(就本文的内存容量测定方式而言,1GB = 1,073,741,824字节。)
*读写速度计算方式为1MB/s = 1,000,000字节/秒。
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