日本大阪--(美国商业资讯)--松下公司今日宣布将推出业界最小的增强型[1]氮化镓(GaN)[2]功率晶体管(X-GaNTM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域，有助于降低工业和消费电子设备的功耗。
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*:截至2015年5月18日，根据松下公司调查，该600-V增强型GaN功率晶体管的占用空间。
**:X-GaN是松下公司的商标。
增强型晶体管的击穿电压为600V，该产品实现200V/ns的高速开关和54—154mΩ的低导通电阻[3]。松下公司将于2015年7月启动10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)产品样品出货。
功率晶体管是用于控制电源的半导体器件。GaN是性能卓越的半导体化合物之一。当将它应用于晶体管时，可实现比硅(Si)和碳化硅(4H-SiC)更卓越的开关性能和更高的击穿电压。
我们的传统型GaN功率晶体管采用高导热表面贴装型封装TO220（尺寸：15 x 9.9 x 4.6mm），然而该封装还不够小，而且电子设备印刷电路板上的安装面积十分有限。
使用表面贴装型封装时，寄生电感[4]降低，因此，可在600V高电压下以8 x 8 x 1.25mm的更小尺寸实现GaN功率晶体管的内在特征和出色的开关性能。功率晶体管正被快速引入电子设备中，它有助于降低能耗。
该产品将亮相2015年5月19-21日于德国纽伦堡举行的2015年度电力转换与智能运动展览会(PCIM 2015)。
[产品特点]
- 其采用新开发的全球最小GaN表面贴装型封装DFN 8x8（8 x 8 mm x 1.25 mm，其占用空间仅为公司传统TO-220封装产品的43%），专为GaN功率晶体管优化。
- 表面贴装型封装的采用降低了寄生电感，实现200V/ns的高速开关性能。
- 在6英寸硅衬底上实现的松下原创栅极注入晶体管(GIT)[5]实现了增强型模式。
GaN功率晶体管更便于应用于AC-DC电源装置（功率因数校正、隔离DC-DC转换器）、电池充电系统、PV功率调节器和EV逆变器。
松下公司拥有200项国内专利和180项海外专利，其中包括一些待审批的发明申请，例如，松下原创的GIT结构的基本专利US 8779438和利用常关操作的驱动系统的基本专利US 8299737。
这项工作部分受到日本新能源和工业技术发展组织(NEDO)之“节能技术项目战略发展”计划的支持。
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[术语解释] |
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增强型 |
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增强型晶体管是一种单器件晶体管，其能够实现常关特征，这是半导体器件的一种特征，当未向栅极施加电压时，可以防止电流在源极和漏极之间流动。 |
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[2] |
氮化镓(GaN) |
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氮化镓是三五族半导体，具有较宽的能带隙（价带和导带之间）。能带隙较大的材料通常具有更高的击穿电压。 |
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[3] |
导通电阻 |
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导通电阻为晶体管通电（导电状态）时晶体管源极和漏极之间的电阻。 |
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[4] |
寄生电感 |
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寄生电感是存在于电子元器件封装中的意外电感分量。尽管这种电感对于频率为50或60赫兹的电源装置来说不是问题，但是它们可能是GaN电源装置高速运行（工作频率：几百千赫兹到几兆赫兹）的一个巨大障碍。 |
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[5] |
栅极注入晶体管(GIT) |
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GIT是一种最初由松下半导体解决方案公司研发的常关型GaN晶体管。新的工作原理基于空穴注入时漏极电流的增加，其被用于维持低导通电阻和增强型模式之间的兼容性。 |
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GaN产品网页：
http://www.semicon.panasonic.co.jp/en/products/powerics/ganpower/
关于松下
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业界最小的增强型600V GaN功率晶体管封装（图示：美国商业资讯）
