东京--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出一款新的智能栅极驱动光电耦合器——“TLP5214A”,该产品适用于驱动中等功率IGBT和功率MOSFET,具有比现有“TLP5214”更出色的去饱和感测功能。量产出货即日启动。
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TLP5214A集成有去饱和前沿消隐时间、滤波时间以及软关断性能优化等一系列新功能。这些功能有助于在开关和去饱和感测期间抑制短时脉冲噪声,保护应用的安全执行。
根据2015年和2016年的销售额,Gartner最新市场报告肯定了东芝作为光耦合器领先制造商的地位。2016财年,东芝相关产品占有23%的销售市场份额。(资料来源:Gartner “市场份额:2016年全球半导体设备和应用”,2016年3月30日)
东芝将根据市场趋势促进多样化光电耦合器和光继电器产品组合的开发,继续提供满足客户需求的产品。
应用场合
• IGBT/MOSFET驱动 |
• 工业变频器 |
• 太阳能变频器 |
• 伺服放大器 |
• 空调变频器 |
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新功能
去饱和前沿消隐时间:1.1μs(典型值) |
去饱和滤波时间:90ns(典型值) |
软关断时间(tDESAT(10%))**:7μs(典型值)现有产品[1]:3.5μs(典型值) |
** 在Cg = 25nF的条件下 |
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主要规格 |
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(除非另作说明,Ta=-40-110℃。所有典型值条件为Ta = 25℃) |
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产品型号 |
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TLP5214A |
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电气 |
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峰值输出电流 |
±4.0 A(最大值) |
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电源电压 |
15-30V |
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电源电流 |
3.8 mA(最大值) |
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阈值输入电流 |
6 mA(最大值) |
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开关 |
传输延迟时间 |
150 ns(最大值) |
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传输延迟偏差 |
-80-80 ns |
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保护 |
IGBT去饱和检测 |
去饱和阈值电压:6.5 V(典型值) |
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去饱和前沿消隐时间:1.1 μs(典型值) |
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去饱和滤波时间:90 ns(典型值) |
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软关断 |
去饱和感测10%延迟时间:7 μs(典型值)*Cg = 25 nF |
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去饱和感测10%延迟时间:3.5 μs(典型值)*Cg = 10 nF |
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米勒箝位(关) |
箝位引脚阀值电压:2.5 V(典型值) |
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欠压锁定(UVLO) |
VUVLO+:11.6 V(典型值) |
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VUVLO-:10.3 V(典型值) |
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隔离 |
隔离电压 |
5000 Vrms(最小值) |
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电气间隙 |
8.0 mm(最小值) |
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爬电距离 |
8.0 mm(最小值) |
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隔离层厚度 |
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0.4 mm(最小值) |
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注
[1] 现有产品TLP5214
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关于东芝
东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域:更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务;保持生活质量的基础设施业务;以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝竭力推动全球业务,并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。
东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业,全球拥有超过188,000名员工,年销售额逾5.6万亿日元(500亿美元)。(截至2016年3月31日。)
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