东京--(美国商业资讯)--东芝(TOKYO:6502)已成功研发出全隔离N沟道横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术，解决了负偏压击穿电压(BVnb)和HBM鲁棒性（衡量抗静电放电(ESD)性的指标）之间的权衡问题。该技术成果的详情于2017年6月1日在功率半导体器件与集成电路国际研讨会(ISPSD 2017)上公诸于众，这是一场在日本举行的IEEE功率半导体国际会议。
近年来，市场对搭载全隔离N沟道LDMOS且具备高BVnb的汽车模拟IC和功率IC的需求日益增加，尤其是支持40V以上电压的器件。直至今日，为了实现衬底和裸芯片内部的电气隔离，仍需在获得更高的BVnb与保证HBM鲁棒性之间进行权衡，而同时保证高BVnb和高HBM鲁棒性则需要更大尺寸的裸芯片。这阻碍了小型化和降低成本方面的进展。此外，由于HBM鲁棒性是一个难以估算的参数，需要实际地制造器件，因此，迫切需要一个评估HBM鲁棒性的新参数。
为了在尽可能缩小裸芯片尺寸的同时解决HBM鲁棒性和BVnb之间的权衡问题，东芝对众多参数进行了二维TCAD仿真并发现了电流集中度取决于HBM鲁棒性，电流集中度与漏极区(EUD)下的电场峰值相对应。因此，东芝通过调整各种参数，利用EUD优化裸芯片特性，成功提高了HBM鲁棒性，同时实现了25-96V的额定电压。从而使80V全隔离N沟道LDMOS产品的裸芯片尺寸减少46%，满足HBM +/-4kV的HBM鲁棒性指标。
东芝已生产出采用新技术的、基于BiCD-0.13G3工艺的器件样机，大批量生产计划于2018财年开始。公司将通过扩大提供全隔离N沟道LDMOS的产品阵容，积极致力于促进实现更轻便、更高效的汽车，同时提高汽车性能。
*1 HBM（人体模型）：一种表征电子器件静电放电(ESD)敏感性的模型，基于人体的静电放电。
*2 全隔离N沟道LDMOS：一种横向扩散金属氧化物半导体(MOS)晶体管，具备一种特殊结构，可通过在漏极与栅极之间进行完全电气隔离，从而减少漏极与栅极之间的电场。
*3 EUD（漏极区电场）：在漏源极下观察到的电场强度。
*4 BiCD-0.13G3工艺技术：东芝功率半导体工艺技术之一。用户可根据应用场
合选择适用的工艺：BiCD-0.13G1/G2/G3主要面向汽车器件；CD-0.13G3主要面向电机控制驱动器； CD-0.13G1/G2主要面向电源管理IC。
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东芝于1875年在东京成立，如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业，全球拥有超过188,000名员工，年销售额逾5.6万亿日元（500亿美元）。（截至2016年3月31日。）
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