东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一个新的600V平面MOSFET系列——“π-MOS IX”。批量生产即日启动。
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π-MOS IX系列采用经优化的芯片设计,与现有的π-MOS VII系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],同时保持了相同水平的效率。该产品提供更大的设计自由度,因此有助于减小设计工作量。此外,π-MOS IX系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流,可轻松取代现有的MOSFET。
东芝电子元件及存储装置株式会社将推出更多600V器件以及500V和650V器件,以扩大其π-MOS IX系列的产品阵容。
应用场合
- 笔记本电脑AC适配器和游戏机充电器的中小型开关电源
- 照明电源
特点
- 兼具高效率和低噪音优点
- 额定雪崩电流和额定直流电流相等
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主要规格 |
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产品型号 |
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封装 |
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绝对最大 |
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RDS(ON) |
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Qg |
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Ciss |
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当前一代 |
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VDSS (V) |
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ID (A) |
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TK650A60F |
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
TK11A60D |
|||||||
TK750A60F |
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
TK10A60D |
|||||||
TK1K2A60F |
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
20.5 |
740 |
TK6A60D(1.25Ω) |
|||||||
TK1K9A60F |
|
TO-220SIS |
|
600 |
|
3.7 |
|
1.9 |
|
14 |
|
490 |
|
TK4A60DB(2.0Ω) |
|
注:
[1] TK10A60D与TK750A60F相比较(200MHz地区的65W笔记本电脑适配器)
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