东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
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TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件,而出现脉冲电流(IDP)时,可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。
该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。
为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。
该款新器件的批量生产和出货即日启动。
应用场合
- 数据中心(服务器电源等)
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特点
- RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率
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主要规格 |
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(@Ta=25oC) |
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产品型号 |
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封装 |
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绝对 最大额定值 |
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漏源极 导通电阻 RDS(ON)最大值 @VGS=10 V (Ω) |
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总 栅极 电荷 Qg 典型值 (nC) |
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栅漏电荷 Qgd 典型值 (nC) |
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输入 电容 Ciss 典型值 (pF) |
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上一代 系列 (DTMOS IV-H) 产品 型号 |
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库存查询 与购买 |
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漏 源极 电压 VDSS (V) |
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漏极 电流 (直流) ID (A) |
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TO-247 |
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650 |
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57 |
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0.040 |
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105 |
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27 |
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6250 |
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TK62N60X |
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注:
[1] 截至2018年6月,东芝测量值(2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW)。
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