东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社 (“Toshiba”)今日宣布推出全新的130nm制造工艺、基于节点的FFSA™ (Fit Fast Structured Array)，它是一个创新的自定义系统级芯片(SoC)开发平台，具备高性能、低成本和低功耗的特点[1]。
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东芝提供适合客户企业环境和要求的专用集成电路(ASIC)和FFSA™平台，同时也为定制SoC开发提供高效的解决方案。FFSA™器件采用硅基主片，该主片通常与用于定制设计的上部金属层集成。FFSA™只需定制几个掩膜板，即可实现比单独的ASIC开发低得多的NRE成本。而且，该平台还实现了开发成本的显著降低，并能够在比传统ASIC更短的时间内提供样品并实现大批量生产。此外，FFSA™使用ASIC设计方法及其数据库实现比现场可编程门阵列(FPGA)更高的性能和更低的功耗。[1]
130nm工艺系列与东芝现有的28nm、40nm和65nm工艺产品组合一起，使得FFSA™成为日益增长的工业设备市场的适当方案。
通过该平台设计的130nm FFSA™器件将由东芝电子元件及存储装置株式会社旗下子公司Japan Semiconductor制造，该公司在 ASIC、ASSP和微型计算机制造方面拥有悠久的历史、雄厚的实力和专长，因此可确保长期供货并满足业务客户连续性计划的需求。
工业设备、通信设施、办公设备和消费产品市场有望实现稳步扩张，而该新系列可以提供所需的性能和集成。
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FFSA™系列 |
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工艺技术 |
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130nm |
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65nm |
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40nm |
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28nm |
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最大门数[2] |
912Kgate |
21Mgate |
25Mgate |
100Mgate |
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最大SRAM存储容量 |
664Kbit |
19Mbit |
30Mbit |
207Mbit |
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最大收发器速度 |
- |
- |
12.5Gbps |
28Gbps |
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最大收发器通道数 |
- |
- |
14 |
64 |
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最大I/O引脚数 |
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337 |
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1110 |
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720 |
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928 |
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注：
[1] 东芝传统FPGA产品内部比较。
[2] 可用门数是一个指导基准，将因具体应用而异。
* FFSA™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 所有其他公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。
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东芝：130nm FFSA(TM)开发平台具备高性能、低功耗和低成本结构阵列。（效果图）（图示：美国商业资讯）
