加州戈拉塔--(美国商业资讯)--最高可靠性高压(HV)氮化镓(GaN)半导体设计和制造的领导者Transphorm Inc.今天宣布推出其首款第三代PQFN88晶体管。新的650 V器件有TP65H070LSG（源极片）和TP65H070LDG（漏极片）两种版本，并提供72毫欧的导通电阻。
提升第三代平台著名的可靠性
Transphorm的第三代器件于2018年6月推出，是当时市场上最高质量、最高可靠性的[Q+R] GaN FET。它们与定制设计的低压MOSFET和GaN FET相配对，可提供：
- 更安静的切换
- 增加电流水平下的更高性能，以及最少的外部电路
- 更高的抗噪能力（4 V时的阈值电压）
- 更高的栅极稳健性(+/- 20 V)
第三代漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚以提高板级可靠性(BLR)，从而增加多层印刷电路板(PCB)设计的可靠性。所提供的漏极和源极接头配置还可适应高侧和低侧开关位置。这在将大焊盘焊接到非开关节点时，可提供更强的辐射抗扰度。此外，在现有的第三代TO-XXX FET产品中加入PQFN88器件，使工程师有机会使用Transphorm的最新技术探索GaN驱动的表面贴装应用。
Transphorm全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk表示：“我们关注的重点仍然是在提高GaN FET可靠性的同时，提供更高的功率密度。随着市场对高压GaN技术的兴趣持续增长，我们还希望为客户提供适合各种潜在应用的器件选择。我们在现有产品系列中推出72毫欧的源极和漏极PQFN88器件，这使我们能够同时满足这三个目标。”
高压GaN功率电子器件的采用率正在不断上升。事实上，Transphorm已宣布有数家拥有各种终端产品[例如：服务器和工业电源、游戏PC供应、便携式太阳能发电机等]的客户展现了该技术的价值主张。
供应、定价和支持
650 V TP65H070LSG和TP65H070LDG (72 mΩ) FET目前每千片订量的报价为7.47美元。提供支持的设计资源包括：
- 推荐的适用于Transphorm GaN FET的外部电路应用说明
其他应用说明和设计指南可在器件的产品页面上找到：TP65H070LSG和TP65H070LDG。
关于Transphorm
Transphorm致力于为高压电源转换应用设计并制造最高性能、最高可靠性的650伏与900伏氮化镓半导体。依托最大的IP组合（1000多项已授权和申请中的专利），Transphorm器件是业界唯一同时通过JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET。
原文版本可在businesswire.com上查阅：https://www.businesswire.com/news/home/20190911005241/en/
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