日本川崎--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了采用薄型SO6L封装的两款光耦——“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。这两款器件即日起开始批量出货。
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TLP5705H采用厚度仅有2.3毫米(最大值)的薄型封装(SO6L),是东芝首款可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器和伺服放大器等设备,现在可直接通过该光耦驱动其IGBT/MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少部件数量并实现设计小型化。
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1],便于替代东芝现有产品[2]。SO6L比SDIP6更纤薄,能够为电路板组件布局提供更高的灵活性,并支持电路板背面安装,或用于器件高度受限的新型电路设计。
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃(Ta=-40至125ºC),使其更容易设计和保持温度裕度。
此外,东芝提供的同系列器件还包括TLP5702H(LF4)与TLP5705H(LF4),采用SO6L(LF4)封装的引线成型选项。
注:
[1] 封装高度:4.25毫米(最大值)
[2] 当前产品:采用SDIP6封装的TLP700H
应用
工业设备
- 工业逆变器、交流伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。
特性
-
高峰值输出电流额定值(Ta=-40℃至125℃时)
IOP=±2.5A (TLP5702H)
IOP=±5.0A (TLP5705H) - 薄型SO6L封装
- 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125°C
主要规格
(除非另有说明,Ta=-40℃至125℃时) |
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器件型号 |
TLP5702H(LF4) |
TLP5705H(LF4) |
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封装 |
名称 |
SO6L |
SO6L(LF4) |
|||
尺寸(mm) |
10×3.84(典型值)
厚度:2.3(最大值) |
11.05×3.84(典型值)
厚度:2.3(最大值) |
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绝对最大额定值 |
工作温度Topr (°C) |
-40至125 |
||||
峰值输出电流IOPH/IOPL (A) |
±2.5 |
±5.0 |
±2.5 |
±5.0 |
||
电气特性 |
峰值高电平输出电流
IOPH最大值(A) |
IF=5mA,
VCC=15V,
V6-5=-7V时 |
-2.0 |
|||
峰值低电平输出电流
IOPL最小值(A) |
IF=0mA,
VCC=15V,
V5-4=7V时 |
2.0 |
||||
峰值高电平输出电流(L/H)
IOLH最大值(A) |
IF=0→10mA,
VCC=15V,
Cg=0.18μF,
CVDD=10μF时 |
- |
-3.5 |
- |
-3.5 |
|
峰值低电平输出电流(H/L)
IOHL最小值(A) |
IF=10→0mA,
VCC=15V,
Cg=0.18μF,
CVDD=10μF时 |
- |
3.0 |
- |
3.0 |
|
电源电压VCC (V) |
15至30 |
|||||
电源电流ICCH、ICCL最大值(mA) |
3.0 |
|||||
输入电流阈值(L/H)
IFLH最大值(mA) |
5 |
|||||
开关特性 |
传播延迟时间
tpHL、tpLH最大值(ns) |
200 |
||||
脉冲宽度失真
|tpHL–tpLH|最大值(ns) |
50 |
|||||
传播延迟差
(器件到器件)
tpsk (ns) |
-80至80 |
|||||
共模
瞬变抗性
CMH、CML最小值(kV/μs) |
Ta=25°C时 |
±50 |
||||
隔离特性 |
隔离电压
BVS最小值(Vrms) |
Ta=25°C时 |
5000 |
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样品查询与供货情况 |
- |
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